Solo arseniuro de galio de la oblea de Crystal Polycrystalline GaAs para el circuito de la microonda del LD LED

Number modelo:Ms
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:3 días laborables
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Zhengzhou Henan China
Dirección: No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
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Sola oblea cristalina y policristalina del GaAs (arseniuro de galio) para hacer LD, LED, circuito de la microonda, célula solar

 

Proporcionamos la sola oblea cristalina y policristalina del GaAs (arseniuro de galio) a la industria de la optoelectrónica y de la microelectrónica para hacer el LD, el LED, el circuito de la microonda y usos de la célula solar, en gama del diámetro a partir de la 2" a 4". Ofrecemos la sola oblea cristalina del GaAs producida por dos técnicas principales LEC del crecimiento y método de VGF, permitiendo que proveamos de clientes la opción más amplia del material del GaAs la alta uniformidad de propertirs eléctricos y de la calidad superficial excelente. El arseniuro de galio se puede suministrar como los lingotes y obleas pulidas, conduciendo y la oblea semiaislante del GaAs, el grado mecánico y el grado listo están toda del epi disponibles. Podemos ofrecer la oblea del GaAs con valor bajo de EPD y la alta calidad superficial conveniente para sus usos del MOCVD y del MBE, nos entra en contacto con por favor para más información de producto.

 

 

Característica y uso de la oblea del GaAs

 

CaracterísticaCampo del uso
Alta movilidad de electrónDiodos electroluminosos
De alta frecuenciaDiodos láser
Alta eficacia de conversiónDispositivos fotovoltaicos
Bajo consumo de energíaAlto transistor de movilidad de electrón
Hueco de banda directoTransistor bipolar de la heterounión

 

Especificación de producto

 
CrecimientoLEC/VGF
Diámetro/Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso350 um ~ 625 um
Orientación<100>/<111>/<110> u otros
ConductividadP - tipo/N - tipo/semiaislante
DopanteZn/Si/sin impurificar
SuperficieUn lado pulió o dos lados pulidos
Concentración1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV<= 10 um
Arco/deformación<= 20 um
GradoEpi pulió el grado/el grado mecánico

 

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Solo arseniuro de galio de la oblea de Crystal Polycrystalline GaAs para el circuito de la microonda del LD LED

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