Oblea de GE de 2 pulgadas a de 4 pulgadas a Micro Electronics y a la industria de electrónica opta

Number modelo:Ms
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:3 días laborables
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Zhengzhou Henan China
Dirección: No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

Oblea de GE a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 4 pulgadas

 

Somos un proveedor mundial de la sola oblea cristalina de GE (oblea del germanio) y solo lingote cristalino de GE, tenemos una ventaja fuerte en el abastecimiento de la oblea de GE a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 4 pulgadas. La oblea de GE es una elemental y el material popular del semiconductor, debido a sus propiedades cristalográficas excelentes y a las propiedades eléctricas únicas, oblea de GE widly se utiliza en sensor, célula solar y los usos infrarrojos de la óptica. Podemos proporcionar las obleas listas bajas de GE de la dislocación y del epi para cubrir sus necesidades únicas del germanio. La oblea de GE se produce según SEMI. estándar y embalado en casete estándar con el vacío sellado en el ambiente del sitio limpio, con un sistema del buen control de calidad, nos dedican a proporcionar productos limpios y de alta calidad de la oblea de GE. Podemos ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR, nos entra en contacto con por favor para más información de producto de GE

 

Solo Crystal Germanium Wafer Capability

SWI puede ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR y el lingote de GE, nos entran en contacto con por favor para más información de producto de GE.
 

ConductividadDopanteResistencia
(ohmio-cm)
Tamaño de la oblea
NASin impurificar>= 30Hasta 4 pulgadas
Tipo de NSb0,001 ~ 30Hasta 4 pulgadas
Tipo de PGA0,001 ~ 30Hasta 4 pulgadas

Usos:

Dispositivo de semiconductor, microelectrónica, sensor, célula solar, la óptica del IR.

 

Propiedades de la oblea de GE

 
Fórmula químicaGE
Estructura cristalinaCúbico
Parámetro del enrejadoa=0.565754
Densidad (g/cm3)5,323
Conductividad termal59,9
Punto de fusión (°C)937,4

 

Especificación de producto

 
CrecimientoCzochralski
Diámetro/Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso500 um ~ 625 um
Orientación<100>/<111>/<110> u otros
ConductividadP - tipo/N - tipo
DopanteGalio/antimonio/sin impurificar
Resistencia0,001 ~ 30 ohmio-cm
SuperficieSSP/DSP
TTV<= 10 um
Arco/deformación<= 40 um
GradoGrado de la electrónica

 

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Oblea de GE de 2 pulgadas a de 4 pulgadas a Micro Electronics y a la industria de electrónica opta

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