2um - silicio de cerámica técnico de las piezas 300um en el aislador SOI Wafer

Number modelo:Ms
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:3 días laborables
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Zhengzhou Henan China
Dirección: No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

 

SOI Wafer (Silicio-en-aislador)

 

Proporcionamos la oblea de alta calidad de SOI (Silicio-en-aislador) para una variedad de uso incluyendo MEMS, el dispositivo de poder, los sensores de la presión y fabricación del circuito integrado del Cmos. La oblea de SOI proporciona una solución potencial para el dispositivo de la velocidad y del bajo consumo de energía y se ha reconocido extensamente como nueva solución para el alto voltaje y los componentes del RF. La oblea de SOI es una estructura del bocadillo incluyendo una capa del dispositivo (capa activa) en el top, una capa enterrada del óxido (capa aislador SiO2) en el centro, y una oblea de la manija (silicio a granel) en la parte inferior. Las obleas de SOI se producen usando SIMOX y tecnología de enlace de la oblea para alcanzar el deluente y la capa exacta del dispositivo y para asegurar el requisito de la uniformidad del grueso y de la densidad baja del defecto. Podemos proveer de la oblea de SOI en el diámetro 4" y 8" grueso flexible y gama ancha de la resistencia para cumplir sus requisitos únicos de SOI. Éntrenos en contacto con para informaciones de producto más futuras de SOI.

 

SOI Wafer Application

 

 

ICs de alta velocidadICs des alta temperatura
ICs de baja potenciaICs de baja tensión
Componentes de la microondaDispositivo de poder
MEMSSemiconductor

 

Especificación de producto

 
MétodoVinculación de la fusión
Diámetro/Ø 8"/Ø Ø 4" 6"
Grueso del dispositivo2 um ~ 300 um
Tolerancia+/- 0,5 um ~ 2 um
Orientación<100>/<111>/<110> u otros
ConductividadP - tipo/N - tipo/lo intrínseco
DopanteBoro/fosforado/antimonio/arsénico
Resistencia0,001 ~ 100000 ohmio-cm
Grueso del óxido500A ~ 4 um
Toleranciael +/- 5%
Oblea de la manija>= 300 um
SuperficieLos lados dobles pulieron
CapaEl óxido y el nitruro se pueden suministrar a ambos lados de la oblea de SOI
 

 

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