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Nitruro de aluminio (AlN)
Material de cerámica con conductividad termal muy alta
El nitruro de aluminio (AlN), un de cerámica covalente-consolidado,
se sintetiza de los elementos abundantes aluminio y nitrógeno. No
ocurre naturalmente.
AlN es estable en atmósferas inertes en las temperaturas sobre
2000°C. Exhibe alta conductividad termal pero es, únicamente, un
dieléctrico fuerte. Esta combinación inusual de propiedades hace
AlN un material avanzado crítico para muchos usos futuros en las
óptica, la iluminación, la electrónica y la energía renovable.
Además de la producción del polvo, somos también capaces de
producir y de suministrar los productos sinterizados de AlN. Para
cubrir la demanda creciente para la gestión termal, estamos
desarrollando las cintas metalizadas de cobre del nitruro de
aluminio, red-formamos las estructuras 3D y los compuestos
complejos. Los productos avanzados tales como reactores del
microcanal de AlN y substratos de AlN con las estructuras metálicas
integradas novela están en fase de desarrollo.
Especificación:
Propiedades | Grado material |
AlN | |
Densidad, g/sm3 | 3,3 |
Dureza de Vickers, GPa | 11 |
Resistencia de flexión, MPa | 320 |
Módulo joven, GPa | 320 |
Conductividad termal, con (m·K) | 180 |
Coeficiente del expantion termal del trazador de líneas, 10-6/ºК | 4,7-5,6 |
Fuerza eléctrica, kV/mm | 16 |
Resistencia de volumen, ohmio·m | >1012 |
Capacitivity dieléctrico | 8,9 |
Propiedades principales:
alta conductividad termal;
propiedades eléctricas excelentes del aislamiento;
fuerza;
coeficiente bajo de extensión termal;
buena capacidad de la metalización.
Usos principales:
espacios en blanco para las placas de circuito impresas de cerámica;
substratos para la metalización en la grueso-película y tecnologías de la fino-película;
substratos pulidos para la metalización en tecnología de la fino-película;
substratos para el LED;
substratos para los diodos láser;
substratos de la precisión para los SOLDADOS ENROLLADOS EN EL EJÉRCITO y los micromontajes de la microonda con agujeros y muescas de alta densidad para los cristales;
tarjetas múltiples para los sistemas de resistores, de reóstatos, de sensores llanos de combustible, de presión, de etc.;
portadores de esquemas de las sustancias venenosas, de la radiación ionizante, de los sensores etc. del campo magnético;
placas para los ionizadores y ozonizadores del aire;
cojines aisladores para quitar calor de componentes electrónicos al radiador de enfriamiento;
protectores para los elementos de transductores piezoeléctricos;
bases y tenedores de los elementos de calefacción planos, cristales de los dispositivos de semiconductor de alta potencia;
placas para los módulos termoeléctricos (elementos de Peltier);
pantallas para los generadores del plasma de la radiofrecuencia;
crisoles.