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Los materiales de cerámica de alto rendimiento del nitruro de silicio desarrollados para la industria de aluminio han mejorado perceptiblemente propiedades termales y mecánicas que productos similares. Sobre esta base, el “alto “dispositivo de calefacción sumergido en forma de L” de la conductividad termal traerá progreso revolucionario al equipo industrial de aluminio.
Alto calentador sumergido de la conductividad termal
Los altos calentadores sumergibles de la conductividad termal (L-tipo incluyendo) derriban los escenarios de la instalación y del uso de calentadores eléctricos tradicionales en la industria de aluminio. Sus características son: tamaño pequeño, poder más elevado, eficacia alta, larga vida, y mantenimiento fácil. Soluciona el problema de la calefacción eléctrica en la industria de aluminio. Los puntos y las dificultades del dolor en el campo durante mucho tiempo. El calentador es pequeño de tamaño y alto en poder, el tamaño de la envoltura del nitruro de silicio es ∮38-68㎜, y el poder de calefacción cubre 3.5-28KW;
Ventaja:
El nitruro de silicio relacionó datos
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propiedad | Densidad | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Absorción de agua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura del sínter | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecánico Propiedad | Dureza de Rockwell | Alto voltaje | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Fuerza de la curva | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidad de la compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termal Propiedad | Funcionamiento máximo temperatura | °C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
extensión termal coeficiente 0-1000°C | /°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistencia de choque termal | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conductividad termal | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Eléctrico Propiedad | Índice de resistencia de volumen | ◎los .cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Avería del aislamiento Intensidad | KV/mm | 18 | semiconductor | 9 | 17,7 | |
Constante dieléctrica (1 megaciclo) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Disipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |