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Nitruros de silicio (Si3N4) ofrezca una combinación excelente de propiedades materiales. Son casi tan ligeras como el carburo de silicio (sic), pero su microestructura les da resistencia de choque termal excelente y su alta dureza de la fractura las hace resistentes a los impactos y a los choques.
Todas estas combinaciones hacen el material irreemplazable en la producción de productos resistentes a la corrosión, desgaste-resistentes y a prueba de calor para una variedad de industrias.
Propiedades | Marca de material |
Composición | SN |
Si3N4 | |
Densidad, g/sm3 | 3,2-3,3 |
Porosidad aislada, % | 0 |
Dureza, GPa | 13,5-14,0 |
Resistencia de flexión, MPa | 280-310 |
Fuerza compresiva, MPa | 3700-3900 |
Conductividad termal en 20-100°С, W/mK | 20-30 |
Coeficiente de extensión termal linear en 20-1000°С, 10-6 К-1 | 2,6-3,3 |
°С de la temperatura de funcionamiento máximo Ambiente oxidativo Reducción o ambiente inerte |
1200 160 |
El nitruro de silicio relacionó datos
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propiedad | Densidad | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Absorción de agua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura del sínter | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecánico Propiedad | Dureza de Rockwell | Alto voltaje | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Fuerza de la curva | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidad de la compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termal Propiedad | Funcionamiento máximo temperatura | °C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
extensión termal coeficiente 0-1000°C | /°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistencia de choque termal | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conductividad termal | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Eléctrico Propiedad | Índice de resistencia de volumen | ◎los .cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Avería del aislamiento Intensidad | KV/mm | 18 | semiconductor | 9 | 17,7 | |
Constante dieléctrica (1 megaciclo) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Disipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |