BLOQUE DEL CARBURO DE SILICIO, PROCESO DE PULIDO DE LA OBLEA DE SILICIO DEL SEMICONDUCTOR, OBLEA DEL ZAFIRO DEL LED, OBLEA DEL LED
Number modelo:Ms
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:10000 pedazos
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000 pedazos por mes
Plazo de expedición:5-8 días laborables
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Miembro activo
Zhengzhou Henan China
Dirección:
No. 26, calle de Dongqing, zona de alta tecnología, Zhengzhou, Henan, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Bloque del carburo de silicio (sic)
Resistencia de abrasión de la resistencia de choque termal de la conductividad termal del bloque del carburo de silicio buena buena buena
Debido a nuestra capacidad de salida grande y capacidad que moldeaba fuerte para la producción del arreglo para requisitos particulares, nuestra compañía ha exportado nuestros productos a muchos mercados internacionales. Nuestros productos se certifican según requisitos de clientes.
Continuamos innovando, mejorar, y aumentar e integrar los recursos internamente y externamente fortalecer la flexibilidad de nuestra compañía y la competitividad de nuestros productos, y proveen de viejos y nuevos clientes el mejor servicio.
Uso:
Proceso de pulido de la oblea de silicio del semiconductor
Proceso de pulido de la oblea del zafiro del LED
Proceso de reducción de la oblea del LED
Requisitos de la característica:
Buena conductividad termal
Buena resistencia de choque termal
Buena resistencia de abrasión
| Funcionamiento | UNIDAD | HS-A | HS-P | HS-XA |
| Tamaño de grano | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| Densidad | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3,1 |
| Dureza (Knoop) | ² de Kg/mm | 2800 | 2800 | 2800 |
| Fuerza flexural 4 pinta @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
| *10 ² del ³ el 1b/in | 55 | 55 | 55 | |
| Fuerza compresiva @ RT | Mpa | 3900 | 3900 | |
| *10 ² del ³ el 1b/in | 560 | 560 | ||
| Módulo de la elasticidad @ RT | Gpa | 410 | 400 | 410 |
| *10 ² del ³ el 1b/in | 59 | 58 | 59 | |
| Módulo de Weibull (parámetro 2) | 8 | 19 | 12 | |
| Ratio de Poisson | 0,14 | 0,14 | 0,14 | |
| Torsión del doble del RT de la dureza de la fractura @ y SENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
| *1 ² del ³ el 1b/in en ½ | ||||
| Coeficiente de la extensión termal RT a 700℃ | X10-6mm/mmK | 4,02 | 4,2 | 4,02 |
| X10-6 in/in°F | 2,2 | 2,3 | 2,2 | |
| Calor específico de medio máximo del servicio Temp.Air @ RT | °C | 1900 | 1900 | 1900 |
| J/gmK | 0,67 | 0,59 | 0,67 | |
| Conductividad termal @ RT | W/mK | 125,6 | 110 | 125,6 |
| H°F de Btu/ft | 72,6 | 64 | 72,6 | |
| @200°C | W/mK | 102,6 | 102,6 | |
| H°F de Btu/ft | 59,3 | 59,3 | ||
| @400°C | W/mK | 77,5 | 77,5 | |
| H°F de Btu/ft | 44,8 | 44,8 | ||
| Permeabilidad @ RT a 1000°C | 31MPa debajo de ninguna salida del gas | |||
| Resistencia eléctrica @ RT | Ohmio-cm | 102-106 | N/A | 102-106 |
| Emisividad | 0,9 | 0,9 | 0,9 | |
Por qué mejore que otros:
Disponible en diversas especificaciones, también proporcione los servicios modificados para requisitos particulares
Calidad estable y entrega rápida
Sic diámetro del bloque a partir 120m m hasta 480m m en existencia
Ahorre la época del cargamento de la muestra y proceso de la descarga
Tarifa de reducción más alta aceptable
BLOQUE DEL CARBURO DE SILICIO, PROCESO DE PULIDO DE LA OBLEA DE SILICIO DEL SEMICONDUCTOR, OBLEA DEL ZAFIRO DEL LED, OBLEA DEL LED
Carro de la investigación
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