Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K
Number modelo:LXD8516
Lugar del origen:Dongguan, Guangdong, China
Cantidad de orden mínima:100 pedazos
Condiciones de pago:T/T, PAYPAL
Capacidad de la fuente:10.000.000 pedazos por mes
Plazo de expedición:7-10 días laborables
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
No.1, Yixiang, Liwu Industrial Park, pueblo de Liwuyuan, distrito de Xihu, ciudad de Shilong, Dongguan 523325, Guangdong, China
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Detalles del producto
LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora del fotorresistor de la caja metálica 8m m
USOS TÍPICOS Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
* flash auto para las cámaras
* control fotoeléctrico
* control de luz de sitio
* control de luz de sitio
* Photomusical I.C.
* control industrial
* Photoswitch
* juguetes electrónicos
Descripción Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
Las células fotoconductoras de los Cdes son un resistor que hizo del material del semiconductor, y el cambio de la conductancia con el variationg de la luminancia. El canbe de las células fotoconductoras de los Cdes manufacturado con diversas figuras y el área iluminada basadas en las células fotoconductoras de este characteristic.CdS es ampliamente utilizado en muchas industrias, tales como juguetes, lámparas, cámara, etc.
Características Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
* de epoxy encapsulada
* respuesta rápida
* tamaño pequeño
* alta sensibilidad
* funcionamiento de Rebliable
* buena característica del espectro
CHARACTERICTICS ELECTRÓPTICO Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
| Parámetros | Characterictics | Unidades |
| Resistencia ligera (en 10lux) | 4-10 | KΩ |
| Resistencia oscura (en 0 lux/minuto) | 0,5 | MΩ |
| Valor gamma (en 100-10lux) | 0,6 | r |
| Disipación de poder (en 25℃) | 100 | MW |
| Max Voltage (en 25℃) | 150 | VDC |
| Pico de la respuesta espectral (en 25℃) | 560 | nanómetro |
| Gama de temperaturas ambiente | -30~+70 | ℃ |
| Tiempo de respuesta | Aumento | ms 20 |
| Tiempo de respuesta | Disminución | ms 30 |
Información componente Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
| Nombre componente | ROSH | Aviso |
| Capa de la resina | SÍ | -- |
| Cdes | NO | Composición que 100 PPM |
| Electrodo | SÍ | -- |
| Substrato de cerámica | SÍ | -- |
| Terminal de la ventaja | SÍ | -- |
DIBUJO ESQUEMÁTICO Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
ESQUEMA Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m (unidad: milímetro)
La especificación de la serie del metal encajonó el CDS
| Modelo | P/N | Voltaje del máximo | Temporeros del ambiente | Espectral máximo | Luz Resistencia | Resistencia oscura | 100/10 | Respuesta tiempo | |
| (nanómetro) | Ev=10Lux @2856°K | Ev=0Lux | ms | ||||||
| (VDC) | (KΩ) | (MΩ) | Tiempo de subida | Tiempo de caída | |||||
| TO-18 | LXD4526 | 150 | -30~+70 | 550 | 8-20 | 0,5 | 0,6 | 30 | 30 |
| LXD4537 | 150 | -30~+70 | 550 | 18-50 | 2 | 0,7 | 30 | 30 | |
| LXD4548 | 150 | -30~+70 | 550 | 45-140 | 5 | 0,8 | 30 | 30 | |
| 6 M | LXD6516 | 150 | -30~+70 | 550 | 5-10 | 0,5 | 0,6 | 30 | 30 |
| LXD6528 | 150 | -30~+70 | 550 | 8-20 | 4 | 0,7 | 20 | 30 | |
| LXD6537 | 150 | -30~+70 | 550 | 18-50 | 10 | 0,75 | 20 | 30 | |
| LXD6548 | 150 | -30~+70 | 550 | 45-140 | 20 | 0,85 | 20 | 30 | |
| TO-5 | LXD8516 | 150 | -30~+70 | 560 | 5-10 | 0,5 | 0,5 | 20 | 30 |
| LXD8528 | 150 | -30~+70 | 560 | 8-20 | 2 | 0,7 | 20 | 30 | |
| LXD8638 | 150 | -30~+70 | 560 | 30-50 | 5 | 0,8 | 20 | 30 | |
| LXD8649 | 150 | -30~+70 | 560 | 45-140 | 10 | 0,8 | 20 | 30 | |
| TO-8 | LXD12528 | 250 | -30~+70 | 560 | 8-20 | 2 | 0,6 | 20 | 30 |
| LXD12537 | 250 | -30~+70 | 560 | 18-50 | 5 | 0,7 | 20 | 30 | |
| LXD12549 | 250 | -30~+70 | 560 | 45-140 | 10 | 0,8 | 30 | 30 | |
RESPUESTA ESPECTRAL Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
ILLUNINANCE contra la RESISTENCIA de FOTO Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
CONDICIONES de PRUEBA Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
| Resistencia ligera Resistencia oscura | Resistencia ligera: Una fuente de luz (2856k) en 10Lux Resistencia oscura: data@10sec, después de cortar el r=Lg de la luz 10Lux (R10/R100) | Realizable |
| Cambio de Tempture Prueba | Tempture de la altura:: 70℃±5℃ Tiempo: los 30M Luz de Incideng: colocación oscura Tiempo de prueba: 24hr Tempture bajo:: - 30℃±5℃ Tiempo: 30min Luz de incidente: sobre la oscuridad que coloca como a recicle, probando tiempo: 24hr | Realizable |
| Constant Tempture Prueba | Tempture: 40±5℃ Humedad: 90-95% Luz de incidente: colocación oscura Tiempo de prueba: 48hr | Realizable |
| Ventaja alto Tempture Prueba | En la raíz de la ventaja 90 grados que curvan, 5m m sobre la raíz,
cargando carga 100g Tempture de soldadura:: 260℃ Tiempo de calentamiento: Max.35, distancia entre la soldadura y base: 5m m | Realizable |
Paquete Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m
A granel, _> 40Pcs /bag- > 5Bag/Box = 200Pcs 2000PCS = caja 10 = bolso 20 = 1 cartón
Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K
Carro de la investigación
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