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Partícula de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm <10 a 0,5 μm <10 a 0,3 μmetro <10@0.2μmetro
Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 2 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
Descripción general
Según el nivel de dopaje del silicio, el semiconductor puede considerarse extrínseco o degenerado.Los extrínsecos estarían leve o moderadamente dopados, mientras que los semiconductores degenerados actúan más como conductores debido a los altos niveles de dopaje que se producen durante la fabricación.
Especificación
oblea de silicio | |
Diámetro | 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
Calificación | Principal |
Crecimiento Método | CZ |
Orientación | <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> |
Tipo/Dopante | Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb |
Espesor (μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
Espesor Tolerancia | Estándar ± 25 μm, capacidades máximas ± 5 μm |
Resistividad | 0.001-100 ohm-cm |
Superficie Finalizado | P/E,P/P,E/E,G/G |
TTV (μm) | Estándar <10 μm, capacidades máximas <5 μm |
Arco/urdimbre | Estándar <40 μm, capacidades máximas <20 μm |
Partícula | <10 a 0,5 μm;<10 a 0,3 μm;<10 a 0,2 μm; |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
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