borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um
Number modelo:JDCD03-002-007
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Nombre de producto:Oblea sic epitaxial
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Shanghai Shanghai China
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JDCD03-001-004 Borde de oblea de oblea epitaxial de SiC que bisela 350,0 μm ± 25,0 μm
JDCD03-001-004
Descripción general
Actualmente se utilizan varios métodos para hacer crecer la capa epitaxial sobre silicio existente u otras obleas: deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD) y epitaxia de haz molecular (MBE), LPE, HVPE.
Implica el crecimiento de cristales de un material sobre la cara
cristalina de otro (heteroepitaxia) o del mismo material
(homoepitaxia).La estructura reticular y la orientación o simetría
reticular del material de película delgada es idéntica a la del
sustrato sobre el que se deposita.Lo que es más importante, si el
sustrato es un solo cristal, entonces la película delgada también
será un solo cristal.Contraste con monocapa autoensamblada y
mesotaxia.
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| forma de cristal | 4H | ||
| politipo | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| (MPD)a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Placas hexagonales | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| Policristal Hexagonal | Ninguno permitido | ||
| Inclusionesa | Área≤0.05% | Área≤0.05% | N / A |
| Resistividad | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm32 | N / A |
| (TED)a | ≤3000/cm32 | ≤6000/cm32 | N / A |
| (DBP)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Error de apilamiento | ≤0.5% Área | ≤1% Área | N / A |
Contaminación de superficies metálicas | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 | ||
| Diámetro | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientación de la superficie | Fuera del eje: 4 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longitud plana secundaria | Sin Piso Secundario | ||
| Orientación plana primaria | Paralelo a<11-20>±1° | ||
| Orientación plana secundaria | N / A | ||
| Desorientación ortogonal | ±5,0° | ||
| Acabado de la superficie | Cara C: Pulido óptico, Cara Si: CMP | ||
| borde de la oblea | biselado | ||
Rugosidad de la superficie (10 μm × 10 μm) | Cara Si Ra≤0,20 nm ； Cara C Ra≤0,50 nm | ||
| Espesora | 350,0 μm± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)a | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (ARCO)a | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Deformación)a | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Fichas/Sangrías | Ninguno permitido ≥0,5 mm de ancho y profundidad | Cant.2 ≤1,0 mm de ancho y profundidad | |
Arañazosa (Si cara, CS8520) | ≤5 y longitud acumulada≤0,5×diámetro de la oblea | ≤5 y longitud acumulada≤1,5 × oblea Diámetro | |
| TUA (2 mm * 2 mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Grietas | Ninguno permitido | ||
| Contaminación | Ninguno permitido | ||
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| Exclusión de borde | 3 mm | ||
Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
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Somos fábrica.
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