Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm
Number modelo:JDCD03-002-006
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Nombre de producto:Oblea sic epitaxial
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Shanghai Shanghai China
Dirección:
Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Sustrato 4H-SiC de 6 pulgadas Nivel D Tipo SI 350,0±25,0 μm MPD≤5/cm2 Resistividad≥1E5Ω·cm para dispositivos de potencia y microondas
Descripción general
Dimensionado para mejorar la producción
Con el tamaño de oblea de 150 mm, ofrecemos a los fabricantes la
capacidad de aprovechar economías de escala mejoradas en
comparación con la fabricación de dispositivos de 100 mm.Nuestras
obleas de SiC de 150 mm ofrecen excelentes características
mecánicas para garantizar la compatibilidad con los procesos de
fabricación de dispositivos existentes y en desarrollo.
Sustrato semiaislante 4H-SiC de 6 pulgadas | |||
| Rendimiento del producto | PAG | D | |
| forma de cristal | 4H | ||
| politípico | No permitido | Área≤5% | |
| Densidad de microtubosa | ≤0,5/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Seis cuadrados vacíos | No permitido | Área≤5% | |
| Cristal híbrido de superficie hexagonal | No permitido | ||
| envoltorioa | Área≤0.05% | N / A | |
| Resistividad | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
(0004)XRD Ancho de media altura de la curva oscilante (FWHM) | ≤45 segundo de arco | N / A | |
| Diámetro | 150,0 mm+0,0/-0,2 mm | ||
| Orientación de la superficie | {0001}±0,2° | ||
| Longitud del borde de referencia principal | Muesca | ||
| Longitud del borde de referencia secundario | Sin bordes de subreferencia | ||
| Orientación de la muesca | <1-100>±1° | ||
| ángulo de muesca | 90° +5°/-1° | ||
| Grado de profundidad de la muesca | Desde el borde 1 mm +0,25 mm/-0 mm | ||
| preparación de la superficie | Cara C: Acabado de espejo, Cara Si: Pulido mecánico químico (CMP) | ||
| El borde de la oblea | chaflán de borde de oblea | ||
Rugosidad de la superficie (10 μm × 10 μm) | Cara Si Ra≤0,2 nm Cara C Ra≤0,5 nm | ||
| espesor | 350,0 μm±25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2 µm | ≤3 µm | |
| TTVa | ≤6 µm | ≤10 µm | |
| Arcoa | ≤25 µm | ≤40 µm | |
| Deformacióna | ≤40 µm | ≤60 µm | |
| Borde roto/hueco | No se permiten bordes colapsados de una longitud y una anchura de ≥0,5 mm | ≤2 y cada largo y ancho de ≤1,0 mm | |
| rascara | ≤5Y la longitud total es≤ 0,5 veces el diámetro | ≤5, y la longitud total es≤1,5 veces el diámetro | |
| defecto | no permitido | ||
| contaminación | no permitido | ||
| Eliminación de bordes | 3 mm | ||
Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de
la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos
el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del
envío.
Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm
Carro de la investigación
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