47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Number modelo:JDCD03-001-003
Nombre de producto:Oblea sic epitaxial
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47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to±1° paralelo de 1,5 milímetros<11-20>

JDCD03-001-003


Descripción

Actualmente, hay dos tipos principales sic de obleas. El primer tipo es la oblea pulida, que es un solo disco del carburo de silicio. Se hace sic de cristales de gran pureza, y puede ser 100m m o 150m m en diámetro. Se utiliza en electrónica de alta potencia. El segundo tipo es la oblea cristalina epitaxial del carburo de silicio. Este tipo de oblea es creado añadiendo capas de solos cristales del carburo de silicio a una superficie. Este método requiere el control exacto del grueso del material, y se refiere como n-tipo epitaxia.


Propiedad

Grado P-MOSGrado de P-SBDGrado de D
Crystal Form4H
PolytypeNingunos permitieronEl Area≤5%
(MPD) a≤0.2 /cm2≤0.5 /cm2≤5 /cm2
Placas del hex.Ningunos permitieronEl Area≤5%
Polycrystal hexagonalNingunos permitieron
Inclusiones aEl Area≤0.05%El Area≤0.05%N/A
Resistencia0.015Ω•cm-0.025Ω•cm0.015Ω•cm-0.025Ω•cm0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a≤4000/cm2≤8000/cm2N/A
(TED) a≤3000/cm2≤6000/cm2N/A
(BPD) a≤1000/cm2≤2000/cm2N/A
(TSD) a≤600/cm2≤1000/cm2N/A
Falta de amontonamientoÁrea del ≤0.5%Área del ≤1%N/A

Contaminación de metal superficial


(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) ≤1E11 cm-2

Diámetro150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficialDe fuera del eje: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longitud plana primaria47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundariaNingún plano secundario
Orientación plana primariaTo±1° paralelo<11-20>
Orientación plana secundariaN/A
Misorientation ortogonal±5.0°
Final superficialC-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la obleaEl biselar

Aspereza superficial

(el 10μm×10μm)

Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso aμm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) a≤2μm≤3μm
(TTV) a≤6μm≤10μm
(ARCO) a≤15μm≤25μm≤40μm
(Deformación) a≤25μm≤40μm≤60μm
Microprocesadores/mellasNingunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mmAnchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro

Rasguños a

(Cara del Si, CS8520)

≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer

≤5 y Length≤1.5×Wafer acumulativo

Diámetro

TUA (2mm*2m m)el ≥98%el ≥95%N/A
GrietasNingunos permitieron
ContaminaciónNingunos permitieron
PropiedadGrado P-MOSGrado de P-SBDGrado de D
Exclusión del borde3m m

Observación: la exclusión del borde de 3m m se utiliza para los artículos marcados con el A.


Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.


FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

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