Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D
Number modelo:JDCD03-001-004
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Nombre de producto:Oblea sic epitaxial
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Shanghai Shanghai China
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Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
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JDCD03-001-004 Sic Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D Politipo Ninguno Permitido
JDCD03-001-004
Descripción general
Una oblea de SiC es un material semiconductor que tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas.Es un semiconductor de alto rendimiento que es ideal para una amplia variedad de aplicaciones.Además de su alta resistencia térmica, también presenta un nivel de dureza muy alto.
En comparación con otros semiconductores, una oblea de carburo de
silicio es ideal para una amplia gama de aplicaciones de potencia y
voltaje.Esto significa que es adecuado para una variedad de
dispositivos eléctricos y ópticos.
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| forma de cristal | 4H | ||
| politipo | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| (MPD)a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Placas hexagonales | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| Policristal Hexagonal | Ninguno permitido | ||
| Inclusionesa | Área≤0.05% | Área≤0.05% | N / A |
| Resistividad | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm32 | N / A |
| (TED)a | ≤3000/cm32 | ≤6000/cm32 | N / A |
| (DBP)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Error de apilamiento | ≤0.5% Área | ≤1% Área | N / A |
Contaminación de superficies metálicas | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 | ||
| Diámetro | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientación de la superficie | Fuera del eje: 4 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longitud plana secundaria | Sin Piso Secundario | ||
| Orientación plana primaria | Paralelo a<11-20>±1° | ||
| Orientación plana secundaria | N / A | ||
| Desorientación ortogonal | ±5,0° | ||
| Acabado de la superficie | Cara C: Pulido óptico, Cara Si: CMP | ||
| borde de la oblea | biselado | ||
Rugosidad de la superficie (10 μm × 10 μm) | Cara Si Ra≤0,20 nm ； Cara C Ra≤0,50 nm | ||
| Espesora | 350,0 μm± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)a | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (ARCO)a | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Deformación)a | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Fichas/Sangrías | Ninguno permitido ≥0,5 mm de ancho y profundidad | Cant.2 ≤1,0 mm de ancho y profundidad | |
Arañazosa (Si cara, CS8520) | ≤5 y longitud acumulada≤0,5×diámetro de la oblea | ≤5 y longitud acumulada≤1,5 × oblea Diámetro | |
| TUA (2 mm * 2 mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Grietas | Ninguno permitido | ||
| Contaminación | Ninguno permitido | ||
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| Exclusión de borde | 3 mm | ||
Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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la cantidad.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos
el costo del flete.
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Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del
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Carro de la investigación
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