Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um

5x10mm²Sustratos independientes de GaN 350 ±25 µm Desde 1 x 10⁵a 3 x 10⁶cm^-2

5*10mm²SP-face (20-21)/(20-2-1) Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI no dopado Resistividad > 10⁶Oblea de dispositivos RF de Ω·cm

Descripción general

Hay tres sustratos principales que se utilizan con GaN: carburo de silicio (SiC), silicio (Si) y diamante.GaN en SiC es el más común de los tres y se ha utilizado en varias aplicaciones militares y para aplicaciones de infraestructura inalámbrica de alta potencia.GaN on Si es un sustrato más nuevo cuyo rendimiento no es tan bueno como el SiC pero es más económico.GaN on Diamond es el de mejor desempeño, sin embargo, dado que es nuevo y relativamente costoso, las aplicaciones en las que se ha utilizado son limitadas.Hemos comparado los tres sustratos de GaN en la siguiente tabla.

Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto

Si δ₁= 0 ±0,5°, entonces (20-21)/(20-2- 1) el ángulo de desviación del plano hacia el eje A es 0 ±0,5°.

Si δ₂= - 1 ±0,2°, entonces (20-21)/(20-2- 1) el ángulo de desviación del plano hacia el eje C es - 1 ±0,2°.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

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