Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
Number modelo:JDCD01-001-009
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000pcs/Month
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Proveedor Último login veces:
Dentro de 2 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
5*10,5mm2Espesor de sustratos de GaN independientes de cara M 350 ±25 µm
5*10,5mm2Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI sin dopar de cara M Resistividad > 106Oblea de dispositivos RF de Ω·cm
El sustrato de GaN independiente tiene un gran potencial para la
homoepitaxia de dispositivos optoelectrónicos y electrónicos con
alta confiabilidad y rendimiento.Aquí, nos dimos cuenta del
crecimiento de GaN a granel independiente en grafeno multicapa de
doble pila como una capa de inserción mediante el método de
epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE).
| METRO Fas Free-calleyinortegramo GRAMOanorte Subcallereal academia de bellas artestmis | ||||
| Artículo | GaN-FS-MUS | GaN-FS-MNS | GaN-FS-M-SI-S | Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera. |
| Dimensiones | 5x10mm2 | |||
| Espesor | 350 ±25 micras | |||
| Orientación | Plano M (1- 100) fuera de ángulo hacia el eje A 0 ±0,5° Plano M (1- 100) fuera del ángulo hacia el eje C - 1 ±0,2° | |||
| Tipo de conducción | tipo N | tipo N | Semiaislante | |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 micras | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidad de la superficie frontal | < 0,2 nm (pulido); o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) | |||
| Rugosidad de la superficie trasera | 0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) | |||
| Densidad de dislocación | Desde 1x105a 3 x 106cm-2 | |||
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 | |||
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto
Si δ1= 0 ±0,5 grados, entonces el plano M (1-100) fuera del ángulo hacia el eje A es 0 ±0,5 grados.
Si δ2= - 1 ±0,2 grados, luego el plano M (1- 100) fuera del ángulo hacia el eje C es - 1 ±0,2 grados.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de
la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos
el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del
envío.
Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
Carro de la investigación
0