zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros
Number modelo:JDWY03-001-031
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000pcs/Month
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
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Shanghai Shanghai China
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Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
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Detalles del producto
azul del GaN-En-zafiro 4inch/± plano del zafiro 100 de la oblea verde del LED 0,2 milímetros
oblea epitaxial azul de 4 pulgadas LED GaN en el zafiro SSP
El ingrediente dominante para el LED azul es nitruro del galio, un
material robusto con una separación grande de la energía, o
‘hueco’, entre los electrones y los agujeros -- este hueco es
crucial en la adaptación de la energía de los fotones emitidos para
producir la luz azul.
Los diodos electroluminosos (LED) fabricaron del nitruro del galio
(GaN) han llevado a la realización de la iluminación de estado
sólido blanca de gran eficacia.
Otro problema grave en producir el LED azul era la dificultad en
GaN de p-doping con la precisión. A finales de los años 1980, Amano
y Akasaki descubrieron que cuando GaN fue dopado con los átomos del
cinc, él emitieron más luz y éste dio así un mejor p-doping. Este
los fenómenos fueron explicados más adelante en un artículo por
Nakamura.
| azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED | ||||
Substrato | Tipo | Zafiro plano | ||
| Polaco | Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP) | |||
| Dimensión | ± 100 0,2 milímetros | |||
| Orientación | Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,2 ± 0.1° | |||
| Grueso | 650 μm del ± 25 | |||
Epilayer | Estructura | uGaN de los 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm | ||
| Grueso | 5,5 ± los 0.5μm | |||
| Aspereza (Ra) | <0> | |||
| Densidad de dislocación | < 5="">8 cm2s | |||
| Longitud de onda | LED azul | LED verde | ||
| 465 ± 10 nanómetro | 525 ± 10 nanómetro | |||
| Longitud de onda FWHMs | < 25="" nm=""> | < 40="" nm=""> | ||
| Chip Performance | Corte-en el μA de voltage@1 | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
| Área usable | > el 90% (borde y exclusión macra de los defectos) | |||
Paquete | Empaquetado en un recinto limpio en un solo envase de la oblea | |||
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está
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el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado,
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zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros
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