10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000pcs/Month
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Number modelo:JDCD01-001-001
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shanghai Shanghai China
Dirección: Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Proveedor Último login veces: Dentro de 2 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser


Aplicaciones

Diodos láser: LD violeta, LD azul y LD verde
Dispositivos electrónicos de potencia, Dispositivos electrónicos de alta frecuencia


Más de 10 años de experiencia en tecnología de fabricación de obleas con sustratos de GaAs se han aplicado a la producción de sustratos de GaN.El sustrato de GaN tiene una orientación superficial controlada, libre de daños, muy plana (Rms < 0,2 nm), y superficies de pasos atómicos controlados.Se ha logrado una calidad superficial adecuada para el crecimiento epitaxial.


Sustratos de GaN independientes de 10 x 10,5 mm2
ArtículoGaN-FS-CU-S10GaN-FS-CN-S10GaN-FS-C-SI-S10

Observaciones:
Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.

Dimensiones10x10,5mm2
Espesor350 ±25 micras
OrientaciónPlano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conduccióntipo Ntipo NSemiaislante
Resistividad (300K)< 0,1 Ω·cm< 0,05 Ω·cm> 106Ω·cm
TTV≤ 10 micras
Arco- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga< 0,2 nm (pulido)
o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Rugosidad de la superficie de la cara N0,5 ~ 1,5 micras
opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Densidad de dislocaciónDesde 1x105a 3 x 106cm-2(calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos0cm-2
Área utilizable> 90% (exclusión de bordes)
PaqueteEmpaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)



Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.


Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

China 10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm supplier

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Carro de la investigación 0