5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm
Number modelo:JDCD01-001-017
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000pcs/Month
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Proveedor Último login veces:
Dentro de 2 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN < 0="">
Descripción
Una red adversarial generativa (GAN) tiene dos porciones: El
generador aprende generar datos plausibles. Los casos generados se
convierten en ejemplos de entrenamiento negativos para el
discriminador. El discriminador aprende distinguir los datos falsos
del generador de datos reales.
| (20- 21)/(20- 2- 1) haga frente a los substratos libres de GaN | ||||
| Artículo | GAN-FS-SP-U-s | GAN-FS-SP-N-s | GAN-FS-SP-SI-s | Observaciones: Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensiones | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Grueso | µm 350 ±25 | |||
| Orientación | (20-21)/(20-2 - 1) avión del ángulo hacia Uno-AXIS 0 ±0.5° (20-21)/(20-2 - 1) avión del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2° | |||
| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo | Semiaislante | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness | < 0=""> o < 0=""> | |||
| Aspereza superficial trasera | 0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> | |||
| Densidad de dislocación | A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s | |||
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s | |||
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut
Si δ1 = 0 ±0.5°, después (20-21)/(20-2 - 1) el avión del ángulo hacia Uno-AXIS es 0 ±0.5°.
Si el δ2 = - 1 ±0.2°, después (20-21)/(20-2 - 1) avión del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está
según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos
el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado,
balanza antes del envío.
5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm
Carro de la investigación
0