SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
Number modelo:JDCD01-001-014
Lugar del origen:Suzhou China
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000pcs/Month
Plazo de expedición:3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado:Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
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Shanghai Shanghai China
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Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
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Detalles del producto
SI-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm
Descripción
El mercado del dispositivo de semiconductor de GaN incluye las
compañías dominantes tales como Cree, Infineon Technologies, Qorvo,
semiconductores de MACOM, de NXP, Mitsubishi Electric, conversión
de poder eficiente (EPC), GaN Systems, Nichia Corporation, y
Epistar Corporation.
Las obleas finas de Epi son de uso general para los dispositivos
del MOS del borde delantero. Epi grueso o las obleas epitaxiales de
varias capas se utiliza para los dispositivos principalmente para
controlar energía eléctrica, y están contribuyendo a mejorar la
eficacia del consumo de energía.
| (11- 22) haga frente a los substratos libres de GaN | ||||
| Artículo | GAN-FS-SP-U-s | GAN-FS-SP-N-s | GAN-FS-SP-SI-s |
Observaciones: Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensiones | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Grueso | µm 350 ±25 | |||
| Orientación | avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 ±0.5° avión (de 11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2° | |||
| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo | Semiaislante | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness | < 0=""> o < 0=""> | |||
| Aspereza superficial trasera | 0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> | |||
| Densidad de dislocación | A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s | |||
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s | |||
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut
Si ±0.5°del δ1 = 0, después el avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS es 0 ±0.5°.
Si δ2 = - 1 ±0.2°, después el avión (de 11-22) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está
según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos
el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado,
balanza antes del envío.
SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
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