Transistor de poder de IKW15N120T2 IGBT
Number modelo:IKW15N120T2
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000pcs por mes
Plazo de expedición:días 2-3work
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
Proveedor Último login veces:
Dentro de 29 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Diodo paralelo anti de la transferencia dura DE PEQUEÑAS PÉRDIDAS de DuoPack 1200V 15A de los transistores de IKW15N120T2 IGBT
Descripción
1200 V, 15 Un IGBT discreto con el diodo antiparalelo en el paquete TO-247
la Duro-transferencia 1200 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT co-embaló con el diodo que andaba sin embragar en un TO-247
el paquete proporciona la mejora significativa del funcionamiento estático así como dinámico del dispositivo, debido
a la combinación de foso-célula y de concepto del fieldstop. La combinación de IGBT con el emisor suave de la recuperación
el diodo controlado minimiza más lejos las pérdidas de abertura. La eficacia más alta es alcanzado debido al mejor
compromiso entre la transferencia y las pérdidas de la conducción.
La eficacia más alta – conducción baja y pérdidas que cambian
Cartera completa en 600 V y 1200 V para la flexibilidad del diseño
Alta confiabilidad del dispositivo
Características
El descenso más bajo de VCEsat para pérdidas más bajas de la
conducción
Pérdidas que cambian bajas
Capacidad que cambia paralela fácil debido al coeficiente de
temperatura positivo en VCEsat
El emisor antiparalelo de la recuperación muy suave, rápido
controló el diodo
Alta aspereza, comportamiento estable de la temperatura
Emisiones bajas de la EMI
Carga baja de la puerta
Distribución apretada misma del parámetro
Usos
Control e impulsiones de motor
Soluciones para los sistemas de energía fotovoltaicos
Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
- Especificaciones
Guía de las comprasCualidad de producto Valor del atributo Categoría de producto: Transistores de IGBT Si TO-247-3 A través del agujero Solo 1,2 kilovoltios 1,7 V - 20 V, + 20 V 30 A 235 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tubo Marca: Infineon Technologies Corriente de colector continua Ic máxima: 30 A Corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 600 Altura: 20,9 milímetros Longitud: 15,9 milímetros Tipo de producto: Transistores de IGBT
| Envío | Período de entrega | |
| Tarifas de envío |
Después de confirmar la orden, evaluaremos el coste de envío de acuerdo con el peso de las mercancías
| |
| Opciones de envío |
Proporcionamos a DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y registrado Envío internacional del correo aéreo.
| |
| Seguimiento del envío |
Le notificaremos por el correo electrónico con orden del número de seguimiento una vez se envía.
| |
Vuelta | Vuelta |
Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas dentro de 30 días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y adentro empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para envío.
|
| Garantía |
Todas las compras de Retechip vienen con un día 30 de devolución la política de devoluciones, esta garantía no se aplicará a ningún artículo de dónde los defectos han sido causados por la asamblea incorrecta del cliente, fracaso del cliente para seguir las instrucciones, producto operación de la modificación, negligente o incorrecta
| |
| El ordenar | | |
Transistor de poder de IKW15N120T2 IGBT
Carro de la investigación
0