Transistor de poder de STGW80V60DF IGBT 600V 80A 469W para los inversores fotovoltaicos
Number modelo:STGW80V60DF
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5 PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:60000 PC por día
Plazo de expedición:2-3 días del trabajo
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Shenzhen Guangdong China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
STGW80V60DF STGW30NC60KD STGP19NC60KD STGF15M65DF2 aisló el transistor bipolar de la puerta
Usos
• Inversores fotovoltaicos
• Sistema de alimentación ininterrumpida
• Soldadura
• Corrección de factor de poder
• Convertidores muy de alta frecuencia
Especificaciones
| Categoría de producto: | Transistores de IGBT |
| TO-247-3 | |
| 600 V | |
| 1,85 V | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 120 A | |
| 469 W | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| Corriente de colector continua Ic máxima: | 80 A |
| Corriente de la salida del Puerta-emisor: | nA 250 |
| Peso de unidad: | 1,340411 onzas |
Descripción
Este dispositivo es un IGBT desarrollado usando una estructura propietaria avanzada de la parada de campo de la puerta del foso. El dispositivo es parte de las series de V de IGBTs, que representan un compromiso óptimo entre la conducción y las pérdidas que cambian para maximizar la eficacia de convertidores muy de alta frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentó) y un resultado muy apretado de la distribución del parámetro en una operación que es paralelo a más segura.
Características
• Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175
• Cola-menos que apaga • VCE (sentado) = 1,85 V (tipo.) @ IC = 80 A
• Distribución apretada de los parámetros
• El ser paralelo a seguro
• Resistencia termal baja
• Diodo antiparalelo de la recuperación suave muy rápida
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Vuelta garantía | Vuelta |
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Transistor de poder de STGW80V60DF IGBT 600V 80A 469W para los inversores fotovoltaicos
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