transistor de poder solar del inversor IGBT de 600V 60A 378W FGH60N60SFDTU
Number modelo:FGH60N60SFDTU
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5 PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:30000 PC por mes
Plazo de expedición:3-5 días del trabajo
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio L, 23ª planta, B constructivo, Duhui 100, Zhonghang Rd, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, Guangdong
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Dentro de 29 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
FGH60N60SFDTU aisló los transistores bipolares del transistor 600V 60A 378W IGBT de la puerta
Usos
• Inversor solar, UPS, soldador, PFC
Especificaciones
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistores de IGBT |
| Si | |
| TO-247AB-3 | |
| Solo | |
| 600 V | |
| 2,3 V | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 120 A | |
| 378 W | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| Tubo | |
| Corriente de colector continua Ic máxima: | 120 A |
| Altura: | 20,6 milímetros |
| Longitud: | 15,6 milímetros |
| Tipo de producto: | Transistores de IGBT |
| Anchura: | 4,7 milímetros |
| Peso de unidad: | 0,225401 onzas |
Descripción
Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, EN la parada del campo del semiconductor IGBTs ofrezca el funcionamiento óptimo para el inversor solar, UPS, el soldador y los usos de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.
Características
• Capacidad de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,3 V @ IC = 60 A
• Alta impedancia de entrada
• Transferencia rápida
• Este dispositivo es Pb−Free y es RoHS obediente
Guía de las compras
| Envío | Período de entrega |
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Le notificaremos por el correo electrónico con orden del número de seguimiento una vez se envía.
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Vuelta garantía | Vuelta |
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| Garantía |
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| El ordenar |
Pago
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transistor de poder solar del inversor IGBT de 600V 60A 378W FGH60N60SFDTU
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