Convertidores de fines generales del transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 Rds 550W DC DC
Number modelo:IXTH200N10T
Lugar del origen:Fábrica original
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Convertidores de fines generales del transistor IXTH200N10T 200A 100V 5,4 Rds 550W DC-DC
Descripción
El solo MOSFET muere, avalancha clasificada, Qg bajo del modo del aumento del canal N
Los MOSFETs del poder de la puerta del foso de IXYS Gen1 se adaptan idealmente para los usos de gran intensidad de la baja tensión,
requerir un R excesivamente bajoDS (ENCENDIDO), permitiendo mismo la disipación de energía baja. Esto, combinado con
la temperatura de empalme de funcionamiento amplia, de -40°C a 175°C, le hace a candidatos convenientes
para los usos del automóvil y otros usos exigentes similares en ambientes duros.
Características
• IXYS avanzó el proceso bajo de Qg
• Carga baja y capacitancias de la puerta - más fáciles conducir - una transferencia más rápida
• Paquetes estándar internacionales
• RDS bajo (encendido)
• Clasificado para la transferencia unclamped de la carga inductiva (UIS) valoró
• Los epóxidos que moldean resuelven la clasificación de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
Usos
• Convertidores de DC-DC
• Cargadores de batería
• fuentes del Cambiar-modo y de alimentación del resonante-modo
• Control de motor de CA de los interruptores z de DC
• Controles de la temperatura y de la iluminación
Especificaciones
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Si | |
| A través del agujero | |
| TO-247-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 100 V | |
| 200 A | |
| 5,5 mOhms | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| Aumento | |
| HiPerFET | |
| IXTH200N10 | |
| Tubo | |
| Marca: | IXYS |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 34 ns |
| Altura: | 21,46 milímetros |
| Longitud: | 16,26 milímetros |
Guía de las compras
| Envío | Período de entrega | |
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Vuelta | Vuelta |
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| Garantía |
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| El ordenar | | |
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