Reemplazo del MOSFET IC del canal N de OSG65R069HZ SOT-247 para la fuente de alimentación de la unidad de la fuente de alimentación

Number modelo:OSG65R069HZ
Lugar del origen:Guangdong, China
Detalles de empaquetado:Cartón estándar
Cantidad mínima de pedido:1
Tipo:MOSFET
Tipo del paquete:En el agujero
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: Shenzhen, distrito de Futian, plaza del norte de Huaqiang SEG, sitio 3209
Proveedor Último login veces: Dentro de 39 Horas
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Actualice su fuente de alimentación con OSG65R099HZ MOS Field Effect Tube de alto voltaje

Experimente la En-resistencia baja y la pérdida que cambia para el mejor rendimiento

 

Actualice la fuente del alimentación de su sistema de la electrónica con el tubo de alto voltaje del efecto de campo del MOS - OSG65R099HZ. Diseñado con el RDS bajo (encendido) y FOM, este componente de la fuente de alimentación ofrece estabilidad y uniformidad excelentes. Su diodo ultrarrápido y robusto del cuerpo asegura la transferencia molestia-libre, haciéndolo perfecto para el uso en poder de la PC, poder de las telecomunicaciones, poder del servidor, cargador de EV, y usos de la impulsión del motor.

 

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Número de parte

OSG65R069HZ

Marca

Original

Paquete

SOT-247

Tipo

MOSFET

Tipo del FET

Canal N

Temperatura de funcionamiento

-45 a +125 C

Montaje del tipo

A través del agujero

Vdss (v)

650V

Identificación (A)

53

Tipo de Rdson (ohmios)

0,06

Rdson máximo (ohmios)

0,069

Uso

Fuente de alimentación

Condición

Nuevo

Plazo de ejecución

3 días

China Reemplazo del MOSFET IC del canal N de OSG65R069HZ SOT-247 para la fuente de alimentación de la unidad de la fuente de alimentación supplier

Reemplazo del MOSFET IC del canal N de OSG65R069HZ SOT-247 para la fuente de alimentación de la unidad de la fuente de alimentación

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