Pieza de recambio de alto voltaje del MOSFET PTD de 48N60DM2 STWA48N60DM2 para la fuente de alimentación de la fuente de alimentación

Number modelo:STWA48N60DM2
Lugar del origen:Guangdong, China
Detalles de empaquetado:Cartón estándar
Capacidad de la fuente:1000 pedazos/pedazos por Semana
Cantidad mínima de pedido:1
Tipo:MOSFET
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: Shenzhen, distrito de Futian, plaza del norte de Huaqiang SEG, sitio 3209
Proveedor Último login veces: Dentro de 39 Horas
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Detalles del producto

MOSFET de la eficacia alta para los convertidores exigentes

48N60DM2 - MOSFET del canal N 600V con el diodo del cuerpo de la Rápido-recuperación

 

¿Buscando un MOSFET que puede manejar los convertidores de gran eficacia más exigentes? Parezca no más futuro que el 48N60DM2. Con su carga y tiempo bajos de la recuperación, combinados con el RDS bajo (encendido), este MOSFET es ideal para los convertidores de las topologías del puente y del defasaje de ZVS. Además de su excelente rendimiento, el 48N60DM2 también ofrece extremadamente - la carga de la puerta y la capacitancia bajas de la entrada, así como es la avalancha 100% probaron.

 

El más, su aspereza extremadamente alta y la Zener-protección de despegue de dv/le toman una decisión confiable y segura. Actualice su convertidor con el 48N60DM2 - la opción perfecta para la eficacia alta y la confiabilidad. Este texto es querido decir para optimizar la conversión con centrarse en las características y las ventajas de producto, mientras que usa lengua de acoplamiento para asir la atención del lector. Destacando las ventajas del producto, los clientes son más probables tomar medidas y comprar el producto.

 

 

Categoría de producto

MOSFET

Tecnología

Si

Montaje de estilo

A través del agujero

Paquete/caso

TO-247-3

Polaridad del transistor

Canal N

Número de canales

1 canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente

600 V

Identificación - corriente continua del dren

40 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente

65 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente

- 25 V, + 25 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente

3 V

Qg - carga de la puerta

70 nC

Temperatura de funcionamiento mínima

- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo

+ 150 C

Paladio - disipación de poder

300 W

Modo del canal

Aumento

Empaquetado

Tubo

Configuración

Solo

Serie

STWA48N60DM2

Tipo del transistor

1 canal N

Tiempo de caída

9,8 ns

Tipo de producto

MOSFET

Tiempo de subida

27 ns

Subcategoría

MOSFETs

Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado

131 ns

Tiempo de retraso de abertura típico

27 ns

Peso de unidad

0,211644 onzas

China Pieza de recambio de alto voltaje del MOSFET PTD de 48N60DM2 STWA48N60DM2 para la fuente de alimentación de la fuente de alimentación supplier

Pieza de recambio de alto voltaje del MOSFET PTD de 48N60DM2 STWA48N60DM2 para la fuente de alimentación de la fuente de alimentación

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