Módulo de alta velocidad LKW40N120H3 práctico del transistor de Infineon IGBT

Number modelo:LKW40N120H3
Número de parte:LKW40N120H3
MARCA:INFINEON
Tipo:transistor del igbt
Características:Velocidad
Condición:Nuevo
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Shenzhen China
Dirección: Shenzhen, distrito de Futian, plaza del norte de Huaqiang SEG, sitio 3209
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Compra LKW40N120H3 para el funcionamiento potente de la electrónica

Pros - y - contra del transistor LKW40N120H3

 

¿Buscar un transistor potente para aumentar su funcionamiento de la electrónica? Considere el LKW40N120H3. Este transistor se jacta un grado de alto voltaje, haciéndolo ideal para el uso en una variedad de usos, de la transferencia de fines generales al control de motor. Uno de los pros más grandes del LKW40N120H3 es su velocidad que cambia rápida. Esto significa que puede rápidamente transición entre los estados por intervalos, permitiendo funcionamiento eficiente y confiable a través de una gama de usos.

 

Además, sus capacidades de dirección de gran intensidad permiten que actúe fácilmente incluso en exigir los dispositivos electrónicos. Sin embargo, es importante observar que el LKW40N120H3 tiene algunas desventajas potenciales. Uno es su coste relativamente alto comparado a otros transistores, que pueden no tomarle la mejor decisión para los compradores presupuesto-conscientes. Además, puede requerir la prueba extensa y la adaptación para asegurar rendimiento óptimo en sistemas electrónicos complejos.

 

Total, el LKW40N120H3 es un transistor potente y confiable para ésos que miran para aumentar su funcionamiento de la electrónica. Mientras que puede venir con un precio más alto y requerir un cierto esfuerzo adicional para optimizar, su velocidad que cambia rápida y capacidades de dirección de gran intensidad lo hacen bien digno de la consideración para una amplia gama de usos.

 

Detalles técnicos:

  • Fabricante: Infineon
  • Categoría de producto: Transistores de IGBT
  • Tecnología: Si
  • Paquete/caso: TO-247-3
  • Montaje de estilo: A través del agujero
  • Configuración: Solo
  • Voltaje VCEO del emisor del colector máximo: 1,2 kilovoltios
  • Voltaje de saturación del Colector-emisor: 2,05 V
  • Voltaje máximo del emisor de la puerta: - 20 V, + 20 V
  • Corriente de colector continua en 25 C: 80 A
  • Paladio - disipación de poder: 483 W
  • Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
  • Temperatura de funcionamiento máximo: + 175 C
  • Serie: Trenchstop IGBT4
  • Empaquetado: Tubo
  • Marca: Infineon Technologies
  • Corriente de colector continua Ic máxima: 80 A
  • Corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 600
  • Tipo de producto: Transistores de IGBT
  • Subcategoría: IGBTs
  • Marca registrada: TRENCHSTOP
  • Peso de unidad: 38 g
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