Módulo de alta potencia de IGBT

Impulse su proyecto de la electrónica con el FP150R07N3E4_B11

El FP150R07N3E4_B11 es un módulo de alta potencia de IGBT que es perfecto para impulsar su proyecto de la electrónica. Con una salida potente de 150A y de 650V, este módulo de IGBT puede manejar usos de alta potencia fácilmente. Aquí están algunos de los pros - y - contra del FP150R07N3E4_B11:

Pros:

- La salida de poder más elevado hace ideal para los usos exigentes

- La alta frecuencia que cambia permite la operación rápida y eficiente

- Ayudas incorporadas del sensor de temperatura evitar recalentamiento

- El diseño robusto asegura la operación confiable incluso en ambientes duros

Contra:

- Un coste más alto comparó a módulos más pequeños de IGBT

- El tamaño abultado puede no ser ideal para los proyectos compactos a pesar de su coste más alto y el tamaño abultado, el FP150R07N3E4_B11 ofrece el funcionamiento imbatible para los usos de alta potencia. Su diseño robusto y sensor de temperatura incorporado le toman una decisión confiable para los proyectos de la electrónica.

Si usted es un entusiasta de DIY o ingeniero electrónico profesional, el FP150R07N3E4_B11 es una elección excelente para impulsar su proyecto siguiente.

Especificaciones:

• Categoría de producto: Módulos de IGBT
• RoHS: Detalles
• Producto: Módulos del silicio de IGBT
• Configuración: inversor trifásico
• Voltaje VCEO del emisor del colector máximo: 650 V
• Voltaje de saturación del Colector-emisor: 1,55 V
• Corriente de colector continua en 25 C: 150 A
• Corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 400
• Paladio - disipación de poder: 430 W
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
• Empaquetado: Bandeja
• Marca: Infineon Technologies
• Tipo de producto: Módulos de IGBT
• Serie: Foso/Fieldstop IGBT4 - E4
• Subcategoría: IGBTs
• Marca registrada: EconoPIM PressFIT
• Peso de unidad: 300 g

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