IRG4PH50UD AISLADOS BLOQUEAN EL TRANSISTOR BIPOLAR CON EL DIODO SUAVE ULTRARRÁPIDO DE LA RECUPERACIÓN

Pros - y - contra de comprar IRG4PH50UD para sus dispositivos electrónicos

Si usted está mirando para actualizar su electrónica, el IRG4PH50UD puede ser una gran opción. Como transistor del MOSFET del poder, ha diseñado para el alto rendimiento y la eficacia en una gama de usos. Aquí están algunos pros - y - contra a considerar antes de que usted compre:

Pros:

- Grados de poder más elevado, con un Vds máximo de 600V y el grado actual continuo de 49A

- Resistencia baja del en-estado y velocidades que cambian rápidas para la eficacia mejorada

- Diseño inteligente con las características incorporadas como los diodos antiparalelos y la protección del puerta-a-dren

- Conveniente para el uso en una gama de electrónica, de impulsiones del motor a las fuentes de alimentación

Contra:

- El recalentamiento propenso si no utilizó correctamente, que puede reducir funcionamiento y vida útil

- Mayo requiere un poco de conjunto de circuitos de la ayuda adicional o el enfriamiento para actuar en los niveles óptimos

- Relativamente costoso comparado a otros transistores en el mercado

Total, el IRG4PH50UD es un transistor de alta calidad del MOSFET del poder que puede entregar resultados impresionantes en sus proyectos de la electrónica. Apenas asegurarse de utilizarlo de acuerdo con las instrucciones del fabricante para los mejores resultados.

Detalles técnicos:

• Montaje de estilo: A través del agujero
• Voltaje máximo del emisor de la puerta: 20 V
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: +150 C
• Paquete: TO-247-3
• Longitud: 15,9 MILÍMETROS
• Empaquetado: 400
• Altura: 20,3 MILÍMETROS
• Anchura: 5,3 MILÍMETROS
• Voltaje VCEO del emisor del colector máximo: 3,7 V
• Corriente de colector continua Ic máxima: 45 A

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