Módulo de alta velocidad IXGH48N60C3D1 del transistor de IGBT para la transferencia 40-100kHz

Number modelo:IXGH48N60C3D1
Número de parte:IXGH48N60C3D1
MARCA:IXYS
original:
Condición:Nuevo
Características:Velocidad
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Shenzhen China
Dirección: Shenzhen, distrito de Futian, plaza del norte de Huaqiang SEG, sitio 3209
Proveedor Último login veces: Dentro de 39 Horas
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Detalles del producto

Invierta en IXGH48N60C3D1 para la electrónica de alto poder

Pros - y - contra de IXGH48N60C3D1

 

¿Está usted en el mercado para un transistor de alto poder para su proyecto de la electrónica? Parezca no más futuro que IXGH48N60C3D1. Este transistor confiable del NPT IGBT ofrece varias ventajas, incluyendo:

 

Pros:

- Gestión eficiente del poder: Con un voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor, este transistor permite una gestión más eficiente del poder en sus dispositivos electrónicos.

- Grado de gran intensidad: En 48A, usted puede contar en este transistor para manejar incluso las cargas eléctricas más exigentes fácilmente.

- Diseño durable: Construido para soportar gamas de temperaturas extremas (- 55°C a +175°C), este transistor ofrece confiabilidad a largo plazo. Mientras que el IXGH48N60C3D1 ofrece varias ventajas, hay algún contra a tener presente, por ejemplo:

 

Contra:

- Un coste más alto: Como transistor de alto poder, el IXGH48N60C3D1 viene con un precio más alto que algunas de sus contrapartes de menor potencia.

- Instalación sofisticada: La instalación y el uso apropiados de este transistor requiere conocimiento técnico y habilidades avanzados.

 

Total, si usted está buscando un transistor confiable, potente para su proyecto de la electrónica, IXGH48N60C3D1 es una opción elegante. Su gestión eficiente del poder, grado de gran intensidad, y durabilidad le toman una decisión popular entre creador y constructores experimentados.

 

Detalles técnicos:

  • Fabricante: XYS
  • Categoría de producto: Transistores de IGBT
  • RoHS: Detalles
  • Tecnología: Si
  • Paquete/caso: TO-247AD-3
  • Montaje de estilo: A través del agujero
  • Configuración: Solo
  • Voltaje VCEO del emisor del colector máximo: 600 V
  • Voltaje de saturación del Colector-emisor: 2,5 V
  • Voltaje máximo del emisor de la puerta: - 20 V, + 20 V
  • Corriente de colector continua en 25 C: 75 A
  • Paladio - disipación de poder: 300 W
  • Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
  • Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
  • Serie: IXGH48N60
  • Empaquetado: Tubo
  • Marca: IXYS
  • Corriente de colector continua Ic máxima: 75 A
  • Altura: 21,46 milímetros
  • Longitud: 16,26 milímetros
  • Tipo de producto: Transistores de IGBT
  • Subcategoría: IGBTs
  • Anchura: 5,3 milímetros
  • Peso de unidad: 6.500 g
China Módulo de alta velocidad IXGH48N60C3D1 del transistor de IGBT para la transferencia 40-100kHz supplier

Módulo de alta velocidad IXGH48N60C3D1 del transistor de IGBT para la transferencia 40-100kHz

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