Mosfet potente SPA20N60C3 para la electrónica de alto rendimiento

Pros - y - contra del Mosfet SPA20N60C3

Como líder en el campo de la electrónica, recomendamos altamente el Mosfet SPA20N60C3 para su rendimiento excepcional y eficacia en una amplia gama de usos. Con un grado del voltaje de 600V y un grado actual de 20A, este Mosfet es perfecto para la electrónica de alto rendimiento que mejor gestión del poder de la demanda. Uno de los pros principales del Mosfet SPA20N60C3 es su resistencia baja del en-estado, que los medios él pueden manejar pérdidas de gran intensidad y de la energía baja, dando por resultado eficacia alta y la generación de calor reducido. Esto le toma una gran decisión para las fuentes de alimentación, los inversores solares, los controles de motor, y otros usos que requieren la transferencia de alta frecuencia.

Otra ventaja del Mosfet SPA20N60C3 es su confiabilidad y durabilidad. Ha construido con la tecnología avanzada que asegura una vida útil más larga y un mantenimiento mínimo. Éste es una medida significativa del ahorro para los negocios y los individuos que confían en electrónica de alto rendimiento. Sin embargo, como cualquier Mosfet, hay un cierto contra a usar el SPA20N60C3. Una estafa es que no es conveniente para los usos de la baja tensión debido a su grado de alto voltaje. Además, puede no ser la opción más rentable para algunos proyectos, pues es un Mosfet más de gama alta con un punto de precio más alto. Totales, recomendamos altamente el Mosfet SPA20N60C3 para su rendimiento excepcional en una amplia gama de usos. Su eficacia alta, confiabilidad, y durabilidad le toman una gran decisión para la electrónica exigente.

Características técnicas:

• Tecnología: Si
• Montaje de estilo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220FP-3
• Polaridad del transistor: Canal N
• Número de canales: 1 canal
• Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 600 V
• Identificación - corriente continua del dren: A 20,7
• Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 190 mOhms
• Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 2,1 V
• Qg - carga de la puerta: 87 nC
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
• Paladio - disipación de poder: 34,5 W
• Modo del canal: Aumento
• Marca registrada: CoolMOS
• Serie: CoolMOS C3
• Empaquetado: Tubo
• Marca: Infineon Technologies
• Configuración: Solo
• Tiempo de caída: 4,5 ns
• Altura: 16,15 milímetros
• Longitud: 10,65 milímetros
• Tipo de producto: MOSFET
• Tiempo de subida: 5 ns

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