Transistor de poder de alto rendimiento

Descripción de IRF540NPBF: Diseño superior para la electrónica avanzada

Si usted está buscando un transistor de poder avanzado para sus proyectos de la electrónica, parezca no más futuro que el IRF540NPBF. Este transistor de alto rendimiento se diseña para entregar resultados excepcionales, con un diseño superior que asegure eficacia y confiabilidad óptimas. Ofreciendo una capacidad de alto voltaje hasta de 100V, el IRF540NPBF puede actuar en una amplia gama de usos. También se jacta una capacidad de gran intensidad hasta de 33A, haciéndolo ideal para el uso en los circuitos exigentes que requieren capacidades que cambian potentes.

Pero qué fija realmente el IRF540NPBF aparte es su diseño avanzado. Con una resistencia baja del en-estado y velocidades que cambian rápidas, este transistor entrega funcionamiento excepcionalmente eficiente y confiable. También ofrece una construcción rugosa que lo haga resistente para dañar de factores ambientales como temperatura y la vibración.

Tan si usted está buscando un transistor de poder de alto rendimiento que pueda entregar resultados superiores en incluso los usos más exigentes, elija el IRF540NPBF. Con su diseño excepcional y funcionamiento confiable, es la opción perfecta para los proyectos avanzados de la electrónica.

Características técnicas:

• Tecnología: Si
• Montaje de estilo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220-3
• Polaridad del transistor: Canal N
• Número de canales: 1 canal
• Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 100 V
• Identificación - corriente continua del dren: 33 A
• Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 44 mOhms
• Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 2 V
• Qg - carga de la puerta: 47,3 nC
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 175 C
• Paladio - disipación de poder: 140 W
• Modo del canal: Aumento
• Empaquetado: Tubo
• Marca: Infineon Technologies
• Configuración: Solo
• Altura: 15,65 milímetros
• Longitud: 10 milímetros
• Tipo de producto: MOSFET

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