Transistor potente del MOSFET de FQPF6N60C para la electrónica de alto rendimiento

Componente robusto y confiable para los usos eléctricos superiores

¿Buscar un transistor robusto y de alto rendimiento del MOSFET para sus dispositivos electrónicos? Parezca no más futuro que el FQPF6N60C. Este transistor se diseña para entregar el funcionamiento eléctrico excepcional, tomándole una decisión superior para una amplia gama de usos. Con una corriente máxima del dren de 6A y un voltaje máximo de 600V, el FQPF6N60C puede manejar incluso los usos más exigentes fácilmente. Su resistencia baja del en-estado y funcionamiento que cambia superior asegurarse de que su dispositivo actúa eficientemente y confiablemente.

Construido para soportar temperaturas altas y condiciones extremas, este transistor se construye con los materiales robustos y la tecnología avanzada. Su resistencia termal baja asegura la disipación de calor eficiente y el funcionamiento duradero, tomándole una decisión confiable para la electrónica de alto rendimiento. Si usted está trabajando en un nuevo diseño electrónico o está reparando un dispositivo existente, el FQPF6N60C es un componente potente y confiable que elevará su funcionamiento eléctrico a las nuevas alturas. Pida el suyo hoy y rendimiento superior y confiabilidad de la experiencia en sus proyectos de la electrónica.

Características técnicas:

• Tecnología: Si
• Montaje de estilo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220-3
• Polaridad del transistor: Canal N
• Número de canales: 1 canal
• Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 600 V
• Identificación - corriente continua del dren: 5,5 A
• Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 2 ohmios
• Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 30 V, + 30 V
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C
• Paladio - disipación de poder: 40 W
• Modo del canal: Aumento
• Serie: FQPF6N60C
• Empaquetado: Tubo
• Marca: onsemi/Fairchild
• Configuración: Solo
• Tiempo de caída: 45 ns
• Transconductancia delantera - minuto: 4,8 S
• Altura: 16,3 milímetros
• Longitud: 10,67 milímetros
• Tipo de producto: MOSFET
• Tiempo de subida: 45 ns

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