MOSFET de alta potencia para los usos del poder

Experimente el rendimiento superior del MOSFET de IRF640NPBF

Si usted está buscando un MOSFET potente para sus usos del poder, el IRF640NPBF es la opción perfecta para usted. Este transistor de alto rendimiento del aumento-modo del canal N se diseña para entregar excelente rendimiento con su resistencia baja del en-estado de apenas 0,18 ohmios. Este MOSFET es capaz de manejar una corriente máxima de 18 amperios, que le toma una decisión ideal para los usos que requieren la dirección de gran intensidad. Además, su grado máximo del voltaje de 200 voltios asegura la operación confiable, incluso bajo cargas pesadas. Ofreciendo un diseño rugoso y durable, el IRF640NPBF se construye para durar. Su paquete es TO-220AB, que se sabe extensamente en el campo de la electrónica para su funcionamiento termal excelente. Esto significa que puede soportar temperaturas altas sin funcionar incorrectamente.

Este MOSFET también ofrece una velocidad que cambia rápida, que hace muy eficiente en cualquier uso del poder. Más, es fácil instalar y puede ser utilizado en diversos usos, incluyendo control de motor, recortes reguladores, conductores del solenoide, y mucho más.

En resumen, si usted está buscando un MOSFET potente para sus usos del poder, el IRF640NPBF es una elección excelente. Con sus características excepcionales y diseño robusto, usted puede estar seguro que proveerá de usted funcionamiento confiable y eficiente para los años venideros.

Características técnicas:

• Tecnología: Si
• Montaje de estilo: A través del agujero
• Paquete/caso: TO-220-3
• Polaridad del transistor: Canal N
• Número de canales: 1 canal
• Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 200 V
• Identificación - corriente continua del dren: 18 A
• Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 150 mOhms
• Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 2 V
• Qg - carga de la puerta: 44,7 nC
• Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamiento máximo: + 175 C
• Paladio - disipación de poder: 150 W
• Modo del canal: Aumento
• Empaquetado: Tubo
• Marca: Infineon Technologies
• Configuración: Solo
• Tiempo de caída: 5,5 ns
• Transconductancia delantera - minuto: 6,8 S
• Altura: 15,65 milímetros
• Longitud: 10 milímetros
• Tipo de producto: MOSFET
• Tiempo de subida: 19 ns

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