IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - IC de memoria DDR3L 4Gbit paralelo a 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

Número de modelo:Se aplicará el método siguiente:
Lugar de origen:Original
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:100.000
Tiempo de entrega:días 1-3working
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: 804 sitio, bloque C, plaza de Qunxing, Futian, Shenzhen, Guangdong, China. Código de poste:  518028
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  IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - IC de memoria DDR3L 4Gbit paralelo a 800 MHz 20 ns 96-TWBGA

 

El sistema de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos

 

Especificaciones de Se aplicará el método siguiente:

 

Tipo de productoDescripción
CategoríaCircuitos integrados (CI)
Memoria
El Sr.ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Serie-
PaqueteEnvases
Estado del productoNo está disponible
Tipo de memoriaLas sustancias
Formato de memoriaDispositivos de almacenamiento
TecnologíaLa memoria SDRAM es DDR3L.
Tamaño de la memoria4Gbit
Organización de la memoria256M x 16
Interfaz de memoriaEn paralelo
Frecuencia del reloj800 MHz
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página15 días
Tiempo de acceso20 ns
Voltagem - Suministro1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 105 °C (TC)
Tipo de montajeMontura de la superficie
Envase / estucheLas demás:
Paquete de dispositivos del proveedorEl sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero.
Número del producto de baseSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

 
Característicasde las
Se aplicará el método siguiente:


* Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Bajo voltaje (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatible con el pasado con 1.5V
* Tasa de transferencia de datos de alta velocidad con frecuencia de sistema de hasta 1066 MHz
* 8 bancos internos para operaciones simultáneas
* Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
* La latencia del CAS programable
* La latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
* La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
* Largura de ráfaga programable: 4 y 8
* Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
* Interruptor BL en el vuelo
* Auto Actualización (ASR)
* Temperatura de auto-refresco (SRT)
* Intervalo de actualización:
- 7,8 us (8192 ciclos/ 64 ms) Tc= -40°C a 85°C
- 3,9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
* Auto-refresco de la matriz parcial
* Pin de restablecimiento asíncrono
* TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
* OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
* ODT dinámico (terminación en el momento de la inyección)
* Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Escribir Nivelación
* Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
* Temperatura de funcionamiento:
- Comercial (TC = 0°C a +95°C)
- Industriales (TC = -40°C a +95°C)
- Automotriz, A1 (TC = -40°C a +95°C)
- Automotriz, A2 (TC = -40°C a +105°C)

 

 

Aplicacionesde lasSe aplicará el método siguiente:


Configuración:
- 512Mx8. - ¿ Qué es eso?
- 256Mx16
Envase:
- BGA de 96 bolas (9 mm x 13 mm) para x16
- BGA de 78 bolas (9 mm x 10,5 mm) para x8

 

 

Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el método siguiente:

 

AtributoDescripción
Estado de la RoHSConforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)3 (168 horas)
Estatus de REACHREACH No afectado
El número de personasEl EAR99
HTSUS8542.32.0036

 

 

  
 

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