MOSFET PowerSSO-36 EPD del poder del propósito de Chip Half Bridge Driver General del conductor del control de motor de L9960TR

Number modelo:L9960TR
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:1000 PC
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente:6K PCS
Plazo de expedición:2-3 días
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Rm1025, edificio internacional de la cultura, mediados de camino #3039, distrito de FuTian, Shenzhen de ShenNan
Proveedor Último login veces: Dentro de 1 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Medio MOSFET PowerSSO-36 EPD de General Purpose Power del conductor del puente de L9960TR

Descripción:

El dispositivo es un H-puente integrado para las cargas resistentes e inductivas para los usos automotrices.

El uso de la blanco incluye los actuadores del control de válvula reguladora, válvulas de control de la recirculación de los gases de escape y

motores de fines generales de DC tales como turbo, control de la aleta y bombas eléctricas. La estrategia de conducción es

aumentado por los pernos configurables de PWM/de DIR e IN1/IN2. El H-puente contiene integrado anda sin embragar

diodos. En caso de la condición que anda sin embragar, encienden al bajo-lado solamente paralelamente de su diodo para reducir

disipación de poder. El interfaz periférico serial integrado (SPI) permite ajustar el dispositivo

parámetros, controlar todos los modos de funcionamiento y leer la información de diagnóstico.

 

Detalle rápido:

Fabricante
STMicroelectronics
Fabricante Product Number
L9960TR
Descripción
MEDIO CONDUCTOR PWRSSO36 DEL PUENTE DE IC
Descripción detallada
Medio MOSFET PowerSSO-36 EPD de General Purpose Power del conductor del puente (2)

 

Cualidades de producto:

TIPO
DESCRIPCIÓN
Categoría
Conductores llenos del semipuente
Mfr
STMicroelectronics
Serie
Automotriz, AEC-Q100
Situación del producto
Activo
Configuración de salida
Medio puente (2)
Usos
Fines generales
Interfaz
SPI
Tipo de la carga
Inductivo, capacitivo, resistente
Tecnología
MOSFET del poder
Rds en (tipo)
400mOhm LS + HS
Voltaje - fuente
4.5V ~ 5.5V
Voltaje - carga
4.5V ~ 28V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 170°C (TJ)
Características
Mató a Rate Controlled
Protección de la falta
Sobre temperatura, cortocircuito
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
36-PowerBFSOP (0,295", anchura de 7.50m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerSSO-36 EPD
Número bajo del producto
L9960

 

Recursos adicionales:

CUALIDADDESCRIPCIÓN
Otros nombres
497-17609-1
497-17609-6-ND
497-L9960DKR
497-17609-2
L9960TR-ND
497-17609-6
497-17609-1-ND
497-L9960TR
497-17609-2-ND
497-L9960CT
Paquete estándar1000

 

Imagen de los datos: https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/group0/48/e5/6a/1a/d4/8e/47/7e/DM00208185/files/DM00208185.pdf/jcr:content/translations/en.DM00208185.pdf

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

China MOSFET PowerSSO-36 EPD del poder del propósito de Chip Half Bridge Driver General del conductor del control de motor de L9960TR supplier

MOSFET PowerSSO-36 EPD del poder del propósito de Chip Half Bridge Driver General del conductor del control de motor de L9960TR

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