Memoria paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

Number modelo:AT28HC64BF-12SU
Lugar del origen:América
Cantidad de orden mínima:27 piezas
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente:6K PCS
Plazo de expedición:2-3 días
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Rm1025, edificio internacional de la cultura, mediados de camino #3039, distrito de FuTian, Shenzhen de ShenNan
Proveedor Último login veces: Dentro de 1 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Memoria IC 64Kbit 120 paralelos Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

Descripción:

El AT28HC64BF es una memoria eléctrico-borrable y microprogramable de alto rendimiento (EEPROM).

Su 64K de la memoria es organizado como 8.192 palabras por 8 pedazos. Fabricado con el Cmos permanente avanzado de Atmel

la tecnología, el dispositivo ofrece tiempos de acceso a 55 ns con la disipación de poder de apenas 220 mW. Cuando es el dispositivo

no reelegida como candidato, la corriente espera del Cmos es menos del µA 100.

 

Detalle rápido:

Fabricante
Tecnología del microchip
Fabricante Product Number
AT28HC64BF-12SU
Fabricante Standard Lead Time
52 semanas
Descripción detallada
Memoria IC 64Kbit 120 paralelos ns 28-SOIC de EEPROM

 

Cualidades de producto:

TIPO
DESCRIPCIÓN
Categoría
Memoria
Mfr
Tecnología del microchip
Paquete
Tubo
Situación del producto
Activo
Tipo de la memoria
Permanente
Formato de la memoria
EEPROM
Tecnología
EEPROM
Tamaño de la memoria
64Kbit
Organización de la memoria
8K x 8
Interfaz de la memoria
Paralelo
Escriba la duración de ciclo - palabra, página
10ms
Tiempo de acceso
120 ns
Voltaje - fuente
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TC)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
28-SOIC (0,295", anchura de 7.50m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
28-SOIC
Número bajo del producto
AT28HC64

 

Recursos adicionales:

CUALIDADDESCRIPCIÓN
Otros nombresAT28HC64BF12SU
Paquete estándar27

 

Características

• Tiempo rápido del acceso de lectura – 70 ns

• La página automática escribe la operación – los cierres de la dirección interna y de datos para 64 bytes

• Rápidamente escriba las duraciones de ciclo

– La página escribe la duración de ciclo: 2 ms máximo (estándar)

– la página de 1 a 64 bytes escribe la operación

• Disipación de energía baja

– corriente activa de 40 mA

– corriente espera de 100 µA Cmos

• Protección de datos del soporte físico y del software

• La interrogación de los DATOS y el pedazo de palanca para el final de escriben la detección

• Alta tecnología de la confiabilidad Cmos

– Resistencia: 100.000 ciclos

– Retención de los datos: 10 años

• Sola 5 fuente de V ±10%

• Cmos y entradas y salidas compatibles de TTL

• JEDEC aprobó Pinout Byte-ancho

• Gamas de temperaturas industriales

• Verde (Pb/Halide-free) que empaqueta solamente

Imagen de los datos:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

China Memoria paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM supplier

Memoria paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

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