Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Number modelo:RGS80TSX2DHRC11
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:30 PCS
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente:6K PCS
Plazo de expedición:2-3 días
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Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

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