Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Number modelo:RGS80TSX2DHRC11
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:30 PCS
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente:6K PCS
Plazo de expedición:2-3 días
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Rm1025, Edificio de Cultura Internacional, ShenNan Mid Road #3039, distrito de FuTian, ​​Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 1 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
China Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W supplier

Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Carro de la investigación 0