Componente electrónico del chip de IC MMBT3906LT1G

Descripción:MMBT3906LT1G
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Buena calidadComponente electrónicoproveedor de China GS Electronics,

MMBT3906LT1G - Detalles del producto

 

Introducción:
El MMBT3906LT1G es un transistor PNP de alta calidad que ofrece un excelente rendimiento y fiabilidad en un paquete compacto.Este transistor es muy adecuado para su uso en amplificadores.Sus excepcionales características eléctricas y su pequeño factor de forma lo convierten en una opción ideal para proyectos donde el espacio es limitado y el rendimiento es crucial.

 

Características clave:

  1. Transistor PNP: El MMBT3906LT1G es un transistor PNP (positivo-negativo-positivo), que permite una amplificación eficiente y el cambio de señales eléctricas.

  2. Amplificación de señal pequeña: Este transistor está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de señal pequeña, lo que lo hace adecuado para amplificadores de audio, osciladores y otros circuitos de baja potencia.

  3. Alta ganancia: el MMBT3906LT1G ofrece una ganancia de corriente alta (hFE) de hasta 300, lo que garantiza una amplificación efectiva de la señal y una reproducción precisa.

  4. Bajo ruido: Con una cifra de ruido baja, este transistor minimiza el ruido no deseado y la interferencia, por lo que es ideal para aplicaciones de audio y radiofrecuencia sensibles.

  5. Velocidad de conmutación rápida: el MMBT3906LT1G cuenta con una velocidad de conmutación rápida, lo que permite transiciones rápidas de encendido / apagado en circuitos digitales y aplicaciones de conmutación.

  6. Amplio rango de voltaje: Este transistor funciona dentro de un amplio rango de voltaje de -40V, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de diseños electrónicos.

  7. Paquete SMD: el MMBT3906LT1G viene en un paquete SMD (Surface Mount Device) compacto, lo que facilita una fácil integración en placas de circuito densamente pobladas y aplicaciones con espacio limitado.

 

Características eléctricas:

Para obtener una mejor comprensión del rendimiento eléctrico del MMBT3906LT1G, consulte el cuadro siguiente:

ParámetroEl símboloValor
Corriente del colector (DC)El200 mA
Potencia del colector (máximo)El PC350 mW
Voltagem del colector-emitente (máximo)Vceo-40 V
Voltado de base del colector (máximo)Vcbo-40 V
Voltado de base del emisor (máximo)Vebo-5 V
Frecuencia de transiciónPeso de las250 MHz
Rango de temperatura de funcionamientoEn la parte superior-55°C a +150°C

 

Aplicaciones:

El transistor MMBT3906LT1G encuentra aplicaciones en una amplia gama de circuitos electrónicos, incluidos:

  1. Amplificadores: Utilice el MMBT3906LT1G en amplificadores de audio, preamplificadores y otras etapas de amplificación de baja potencia.

  2. Circuitos de conmutación: Utilice este transistor en circuitos de conmutación, como interruptores digitales, controladores de relé y puertas lógicas.

  3. Osciladores: el MMBT3906LT1G se puede utilizar en circuitos de oscilador para generar frecuencias estables y precisas.

  4. Procesamiento de señales: Utilice este transistor en aplicaciones de procesamiento de señales, como filtros, mezcladores y moduladores.

  5. Circuitos de RF (Radio Frequency): El bajo ruido y la alta ganancia del MMBT3906LT1G lo hacen adecuado para circuitos de RF, incluidos amplificadores y receptores de RF.

 

Tenga en cuenta que esta es sólo una breve descripción general de las características y aplicaciones del transistor MMBT3906LT1G.Se recomienda consultar la ficha de datos del producto y las notas de aplicación..

En conclusión, el transistor PNP MMBT3906LT1G es un componente compacto y fiable que ofrece un alto rendimiento en una amplia gama de circuitos electrónicos.ruido bajo, y velocidad de conmutación rápida, es una excelente opción para las tareas de amplificación, conmutación y procesamiento de señales.

 

Incorpore el MMBT3906LT1G en sus diseños para mejorar el rendimiento y lograr resultados óptimos.

Para obtener más información, fichas de datos y soporte, visite nuestro sitio web o póngase en contacto con nuestro equipo de ventas.

 

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VisitaciónSe trata de un proyecto de investigación de la Comisión.para más información

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