Punto bajo de alta velocidad de High Current del conductor del MOSFET del chip CI del semiconductor de IRS2101STRPBF en resistencia

Chip CI del semiconductor del IRS 2101 STRPBF

Punto bajo de la velocidad de High Current High del conductor del MOSFET en resistencia

Anuncio del producto:

IRS2101STRPBF, chip CI del semiconductor

Descripción:

El IRS2101STRPBF es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad, lleno IC del MOSFET del puente diseñado para las fuentes de alimentación que cambian, controles de motor, y otros usos que cambian del poder. Este dispositivo tiene un rato de retraso bajo de propagación y es capaz de conducir altas corrientes en los de alta frecuencia. Ofrece el conjunto de circuitos activo de la abrazadera de Miller, la limitación actual del cortocircuito, el cierre termal, y la protección de la sobretensión.

Características:

- Voltaje de funcionamiento máximo: 650V
- Salida actual máxima: 5.5A
- Retraso de propagación: 14ns
- Salidas: Lado bajo 4 alto lado y 4
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -40°C a 150°C
- Tipo del paquete: SOIC-16

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