Conductor de alto voltaje del MOSFET del alto rendimiento de IC del microprocesador del semiconductor de IR2127STRPBF

Anuncio del producto:

IR2127STRPBF, microprocesador del circuito integrado (IC)

Características:

• conductor de 800V, de 3A, del paso a cero, del alto y del bajo-lado
• Conjunto de circuitos interno del tirante
• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
• Voltaje de salida referido lado bajo
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• La tierra de la lógica se refirió a la entrada
• TTL compatible
• Sobre la protección de la temperatura
• Protección del cortocircuito

Paquete: 8 perno SOIC

Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C

Temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C

Voltaje de fuente: 8V a 20V

Actual: 3A (máximo)

Voltaje de salida: 800V (máximo)

Tiempo de retraso de propagación: 200ns

Tiempo de la subida/caída: 25ns/25ns

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