MOSFET DE IRLR3110ZTRPBF: Electrónica de poder de alto rendimiento para la eficacia óptima

Number modelo:IRLR3110ZTRPBF
Lugar del origen:Mult-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Anuncio del producto:

 

MOSFET DE IRLR 3110 ZTRPBF

 

Parámetros:

 

Tecnología: MOSFET del poder del canal N

 

Voltaje de la Dren-fuente: 100 V

 

Corriente continua del dren: 30 A

 

RDS (encendido): 0,019 ohmios

 

Gama de temperaturas de funcionamiento: -55 °C +al °C150

 

Paquete/caso: TO-220AB Montaje del tipo: A través del agujero

 

 

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