Interruptor del MOSFET SI5855CDC-T1-E3 - En-resistencia baja de gran intensidad y carga baja de la puerta.

Number modelo:SI5855CDC-T1-E3
Lugar del origen:Mult-origen
Cantidad de orden mínima:1
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Capacidad de la fuente:999999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
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Detalles del producto

 

Anuncio del producto:

 

SI5855 CDC-T 1- MOSFETdel modo del aumento del canal N de E3

 

Voltaje de la Dren-fuente: 40 V

 

Voltaje de la Puerta-fuente: ±20 V

 

Corriente continua del dren: 8 A

 

Rds (encendido): 0,06 Ω

 

Gama de temperaturas de funcionamiento: °C -55 a 150

 

Montaje del tipo: Soporte superficial

 

Paquete/caso: TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

 

Paquete del dispositivo del proveedor: TO-252-3

 

 

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Interruptor del MOSFET SI5855CDC-T1-E3 - En-resistencia baja de gran intensidad y carga baja de la puerta.

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