Paquete interno de baja potencia 8-SOIC del amplificador operativo del filtro emi de los chips CI 3-MHz del amplificador TLV2314QDRQ1 RRIO

Number modelo:TLV2314QDRQ1
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Capacidad de la fuente:999999
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto

Chips CI del amplificador TLV2314QDRQ1

paquete interno de baja potencia 8-SOIC del amplificador operativo del filtro emi 3-MHz RRIO

 

 

Situación del producto
Activo
Tipo del amplificador
Número de circuitos
2
Tipo de la salida
Carril-a-carril
Tarifa de ciénaga
1.5V/µs
Producto del ancho de banda del aumento
3 megaciclos
Actual - prejuicio entrado
1 PA
Voltaje - compensación entrada
µV 750
Actual - fuente
150µA (canales x2)
Actual - salida/canal
20 mA
Voltaje - palmo de la fuente (minuto)
1,8 V
Voltaje - palmo de la fuente (máximo)
5,5 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C
Montaje del tipo
Paquete/caso
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

 

Características
• Calificado para los usos automotrices
• AEC-Q100 calificó con los resultados siguientes:
– Grado 1 de la temperatura del dispositivo: – 40°C a
gama de temperaturas ambiente de funcionamiento de +125°C
– Nivel 3A de la clasificación de HBM ESD del dispositivo
– Nivel C6 de la clasificación del dispositivo CDM ESD
• Voltaje compensado bajo: 0,75 milivoltios (de típico)
• Corriente diagonal entrada punto bajo: 1 PA (típico)
• Gama ancha de la fuente: 1,8 V a 5,5 V
• Entrada y salida del Carril-a-carril
• Ancho de banda del aumento: 3 megaciclos
• Índice de inteligencia bajo: 250 µA/Ch (máximo)
• De poco ruido: 16 nV/√Hz en 1 kilociclo
• RF interno y EMI Filter
• Número de canales:
– TLV314-Q1: 1
– TLV2314-Q1: 2
– TLV4314-Q1: 4
• Gama de temperaturas extendida:
– 40°C a +125°C

 

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Paquete interno de baja potencia 8-SOIC del amplificador operativo del filtro emi de los chips CI 3-MHz del amplificador TLV2314QDRQ1 RRIO

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