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Chips CI del amplificador TLV2314QDRQ1
paquete interno de baja potencia 8-SOIC del amplificador operativo del filtro emi 3-MHz RRIO
Situación del producto | Activo | |
Tipo del amplificador | ||
Número de circuitos | 2 | |
Tipo de la salida | Carril-a-carril | |
Tarifa de ciénaga | 1.5V/µs | |
Producto del ancho de banda del aumento | 3 megaciclos | |
Actual - prejuicio entrado | 1 PA | |
Voltaje - compensación entrada | µV 750 | |
Actual - fuente | 150µA (canales x2) | |
Actual - salida/canal | 20 mA | |
Voltaje - palmo de la fuente (minuto) | 1,8 V | |
Voltaje - palmo de la fuente (máximo) | 5,5 V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C | |
Montaje del tipo | ||
Paquete/caso | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Características
• Calificado para los usos automotrices
• AEC-Q100 calificó con los resultados siguientes:
– Grado 1 de la temperatura del dispositivo: – 40°C a
gama de temperaturas ambiente de funcionamiento de +125°C
– Nivel 3A de la clasificación de HBM ESD del dispositivo
– Nivel C6 de la clasificación del dispositivo CDM ESD
• Voltaje compensado bajo: 0,75 milivoltios (de típico)
• Corriente diagonal entrada punto bajo: 1 PA (típico)
• Gama ancha de la fuente: 1,8 V a 5,5 V
• Entrada y salida del Carril-a-carril
• Ancho de banda del aumento: 3 megaciclos
• Índice de inteligencia bajo: 250 µA/Ch (máximo)
• De poco ruido: 16 nV/√Hz en 1 kilociclo
• RF interno y EMI Filter
• Número de canales:
– TLV314-Q1: 1
– TLV2314-Q1: 2
– TLV4314-Q1: 4
• Gama de temperaturas extendida:
– 40°C a +125°C