Transistor del Rf del poder más elevado de AD9361BBCZ

Transistor de poder de AD9361BBCZ RF - alta confiabilidad del poder más elevado

El AD9361BBCZ es un transistor de poder de alta potencia, de gran eficacia del RF del canal N diseñado para el uso en la banda del ISMO de 900 megaciclos. El dispositivo ofrece una gama ancha del voltaje de la puerta y una estabilidad termal excelente. Es ideal para los usos tales como amplificadores de potencia del RF, estaciones base celulares y otros usos de comunicación inalámbricos.

Características:

• Capacidad del poder más elevado: Abadejo = 10 W
• Eficacia alta: el hasta 60%
• Gama ancha del voltaje de la puerta: VGS = -3.5V a -20V
• Estabilidad termal excelente: R de la variación máxima del DS (encendido) del 9% sobre temperatura
• Carga baja de la puerta: Qg = 5.5nC
• Resistencia termal baja: Rthj-c = 1.5°C/W
• RoHS obediente
• opciones Halógeno-libres del paquete

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