Costo del alto rendimiento del ISMO de los transistores de poder de AD8342ACPZ-REEL7 RF bajo

Number modelo:AD8342ACPZ-REEL7
Lugar del origen:Multi-origen
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Capacidad de la fuente:99999
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 38 Horas
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Anuncio del producto:

 

Producto: Transistores de poder de AD8342ACPZ-REEL7 RF

Paquete: Carrete

Configuración: Solo

Gama de frecuencia de funcionamiento: DC - 6GHz

Aumento: DB 17

Figura de ruido: DB 1,7

Fuente de alimentación: +5.0V

Fuente actual: 5.0mA

Voltaje de fuente: -5.0V

De potencia de salida: dBm +27

Impedancia de entrada: 50 ohmios

Impedancia de salida: 50 ohmios

Tiempo de subida: 2.4ns

Tiempo de caída: 1.4ns

Tarifa de ciénaga: 3ns/V

Temperatura de funcionamiento: -55°C a +125°C

 

 

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Costo del alto rendimiento del ISMO de los transistores de poder de AD8342ACPZ-REEL7 RF bajo

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