Frecuencia de fines generales 700MHz de los transistores de poder de HMC789ST89ETR RF

Transistores de poder de HMC789ST89ETR RF

Descripción de producto:

Los transistores de poder de HMC789ST89ETR RF son transistores de alto rendimiento, de alta frecuencia, de alta potencia convenientes para el uso en usos del amplificador. El HMC789ST89ETR ofrece el funcionamiento excelente del aumento y del poder, así como de poco ruido, que hace ideal para el uso en usos lineares y del amplificador de potencia.

Características:

- Transistor de alto rendimiento, de alta frecuencia, de alta potencia
- Conveniente para el uso en usos del amplificador
- Funcionamiento excelente del aumento y del poder
- De poco ruido
- Linearidades excelentes
- Gama de frecuencia ancha
- Poder más elevado que maneja capacidades
- Alta confiabilidad

Usos:
- Amplificadores del RF y de la microonda
- Sistemas de comunicación móvil
- Sistemas del radar
- Sistemas de comunicación por satélite
- Usos del espacio aéreo y de la defensa
- Sistemas de comunicación inalámbricos

Especificaciones:

- Gama de frecuencia: 0.1-6000 megaciclos
- Aumento del poder: DB 20
- Salida de poder: 50 W
- Figura de ruido: DB 3
- Impedancia de entrada: 50 ohmios
- Impedancia de salida: 50 ohmios
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a +

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