Alta ganancia de poco ruido del alto rendimiento de los transistores de poder de HMC536LP2E RF

Alta ganancia de poco ruido del alto rendimiento del transistor de poder de HMC536LP2E RF

Transistor de poder de HMC536LP2E

Descripción de producto:

El HMC536LP2E es un amplificador de potencia del pHEMT MMIC del GaAs que actúa entre DC y 6 gigahertz. Este amplificador se diseña para los usos tales como radios de punto a punto, radios punto-a-de múltiples puntos y VSATs.

Características:

• Aumento: DB 14,5
• Salida de poder: dBm +28
• P1dB: dBm +26
• Figura de ruido: DB 3,2
• Drene la eficacia: el 20%
• Voltaje de funcionamiento: +5V
• Impedancia de la entrada-salida: 50 ohmios
• Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C

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