Linearidades del soporte de HMC326MS8GETR altas del poder más elevado superficial del transistor

Transistor de poder de HMC326MS8GETR RF - alta linearidad del poder más elevado

HMC326MS8GETR, pHEMT del GaAs, transistor de poder del RF

Descripción de producto:

El HMC326MS8GETR es un de alto rendimiento, pHEMT del GaAs, transistor de poder del RF. Se diseña para el uso en una amplia variedad de usos tales como comunicaciones celulares y de banda ancha. Este dispositivo ofrece funcionamiento excelente del RF sobre una amplia gama de frecuencias, con un máximo de potencia de salida del dBm 18,5 y un aumento máximo de DB 16. El HMC326MS8GETR es también extremadamente linear, con un 3ro punto de la intercepción de la orden del dBm +40. Este dispositivo se suministra en un sin plomo, RoHS obediente, 3 x 3 paquete del milímetro QFN.

Características:

• dBm 18,5 de potencia de salida
• aumento de dB 16
• 3ro punto de la intercepción del orden de +40 dBm
• Gama de frecuencia de funcionamiento: 0,2 a 2,0 gigahertz
• Sin plomo, RoHS obediente, 3 x 3 paquete del milímetro QFN

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