Transistor de poder de SI4010-C2-GSR RF - alto rendimiento y solución confiable del poder

Número de modelo:SI4010-C2-GSR
Lugar del origen:Multi-origen
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:99999
Plazo de expedición:1-7days
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Shenzhen China
Dirección: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalles del producto

Transistores de poder de SI4010-C2-GSR RF

 

Descripción de producto:


El SI4010-C2-GSR es un transistor de poder de alto rendimiento del RF diseñado específicamente para el uso en banda estrecha, los usos del poder más elevado tales como celular, la infraestructura PCS, y 3G. El dispositivo se fabrica usando un GaN especial en sic el proceso que proporciona eficacia alta, poder más elevado, y resistencia termal baja. El SI4010-C2-GSR se contiene en un paquete sellado herméticamente, que proporciona funcionamiento termal y eléctrico excelente.

 

Características:


• Salida de poder más elevado: hasta 160W
• Eficacia alta: el hasta 45%
• Resistencia termal baja: 0.2°C/W
• Bajo consumo de energía: <200ma> • Operación de banda estrecha: 5MHz a 1GHz
• Paquete sellado herméticamente
• Operación da alta temperatura: hasta +175°C

Usos:
• Estación base celular
• Infraestructura del PCS
• infraestructura 3G
• Sistemas de radiodifusión
• Radios militares
• Radios automotrices
• Equipamiento médico

 

 

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