Transistor de poder de SI1000-E-GM2R RF - salida de poder más elevado de poco ruido

Transistor de poder de SI1000-E-GM2R RF

Características:

• 500-1000 megaciclo de funcionamiento de gama de frecuencia
• voltaje de funcionamiento 28V
• 10W de potencia de salida
• aumento de dB 6
• Eficacia alta
• De poco ruido
• Distorsión baja
• Altas linearidades

Usos:
• Estaciones base móviles
• Comunicaciones inalámbricas profesionales
• Radios bidireccionales

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